北京
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半导体材料赛道又传来新进展。富加镓业近日宣布，采用自主垂直布里奇曼法（VB法）成功生长出厚度超70mm的6英寸氧化镓单晶晶锭。
厚度突破意味着什么？
晶锭厚度是衡量单晶生长技术成熟度与产业化程度的关键指标。更厚的晶锭意味着单根晶体可切割出更多衬底片，直接降低单片成本。70mm这个数字，放在6英寸氧化镓领域，算是一个值得关注的节点。
双重检测背书
据富加镓业消息，该晶锭经平湖实验室HRXRD检测，结晶质量优异；同时经中国计量科学研究院检测，电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求。两道检测关卡，分别对应晶体质量和下游应用的适配性。
氧化镓作为新一代超宽禁带半导体材料，在高压、大功率器件场景被寄予厚望。但产业化进程一直受制于晶体尺寸和成本。这次6英寸晶锭的厚度突破，至少在衬底供给端给出了一个积极信号。
当然，从晶锭到规模化商用，中间还有切片、抛光、外延等多道工序。厚度上去了，良率和一致性是否跟得上，才是后续真正要盯的指标。
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