北京
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“具有电流扩展区的功率电子器件及其对应的制造工艺”的专利，公开号CN122622279A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本公开涉及具有电流扩展区的功率电子器件及其对应的制造工艺。一种用于制造具有多个基本单元的功率电子器件的工艺，设想：提供基板，该基板具有第一导电性和第一掺杂值，并且限定前表面；在距前表面一距离处的基板的深位置形成第一CSL—电流扩展层—区，该第一CSL区具有第一导电性和大于第一掺杂值的第二掺杂值；在第一电流扩展区上方形成功率电子器件的基本单元的第一掺杂区，该第一掺杂区具有第二导电性类型，并且在与前表面平行的方向上通过功率电子器件的单元间区与彼此分离开；在所述单元间区处形成第二CSL—电流扩展层—区，该第二CSL区具有第一导电性并且相对于所述第一电流扩展区具备有区别且独立的特性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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