北京
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国家知识产权局信息显示，科磊股份有限公司申请一项名为“克服负载效应的CVD硼均匀性”的专利，公开号CN122623240A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，通过在沉积硼层之前在电介质层上沉积粘合层，可减少或消除硼层对窗口内的硅的负载效应。所述粘合层可通过硼物种被沉积于所述粘合层上来减少或消除硼物种横向扩散到所述窗口中。使用所述粘合层的方法可能够在数十毫米级及以下的窗口内形成纳米级的硼层。所述硼层及硅层可形成可用于扫描电子显微镜及类似者中的检测器。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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