北京
国家知识产权局信息显示，陕西立晶芯科半导体科技有限公司取得一项名为“一种用于控制碳化硅晶体生长界面的气流导流结构”的专利，授权公告号CN224647153U，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本实用新型属于碳化硅晶体制备技术领域，涉及一种用于控制碳化硅晶体生长界面的气流导流结构，包括外壳、上层石墨片、中层石墨片与下层石墨片。本实用新型利用下层石墨片下部的球面结构引导边缘的气化物向着中心汇聚并从多个第三通孔穿过，经过中层石墨片时利用中层石墨片的环形结构使得中心的气化物快速通过，边缘的气化物经过多个第二通孔的阻挡缓慢通过，最终使得气化物均匀穿过多个第一通孔，从而使得气化物均匀在籽晶表面进行结晶，避免了边缘的碳化硅粉料温度高于中心的碳化硅粉料而造成的边缘气化物的浓度大于中心气化物的浓度，使得长晶初期的晶锭界面更加均匀，提高了碳化硅晶体生长过程稳定性。
天眼查资料显示，陕西立晶芯科半导体科技有限公司，成立于2024年，位于咸阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西立晶芯科半导体科技有限公司专利信息1条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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