北京
- 台积电最近给供应链发了份CoWoS玻璃基板开发计划，目标2028年量产
- 英特尔在NEPCON上亮出了78mm×77mm的玻璃芯基板实物，10层堆叠
玻璃基板不是渐进改良，而是封装材料的代际跃迁，它同时解决了高频损耗、热膨胀失配和大尺寸扩展三大物理瓶颈，产业化时间线已经锁定2026-2028年，下面具体聊聊：
有机基板到极限了
AI芯片面积越来越大，HBM堆叠越来越厚，传统ABF有机基板的问题集中爆发：
- 翘曲控制不了
- 高频信号损耗严重
- 热膨胀系数和硅芯片差出好几倍
硅中介层（CoWoS）确实够精细，但300mm圆晶圆吃亏在边缘全浪费，面积利用率只有45%。
玻璃基板介电损耗比硅低一个数量级，热膨胀系数可以调到和硅接近，而且直接上510×515mm甚至600×600mm的方板，面积利用率到81%。
四个场景
玻璃基板四个赛道并行。
- 玻璃中介层，对标硅中介层做2.5D/3D封装，台积电的CoPoS平台2028年下半年就要量产，英伟达下一代Feynman架构GPU可能是第一个大客户。
- 玻璃芯基板，英特尔在推的EMIB+Glass Core，逻辑是保留ABF膜做布线，把中间的有机核心层换成玻璃，解决大尺寸封装的翘曲。
- 临时载板，GPU和HBM共封装时当底座，用完还能回收。
- CPO光模块，1.6T往3.2T走，康宁的Glass Bridge方案用玻璃做光波导
工艺壁垒
产业链拆开看，原片→打孔→镀铜→RDL。
原片必须是无碱/低碱硼硅玻璃，目前肖特、康宁、AGC垄断高端市场，国内凯盛、旗滨、力诺药包在追赶。
TGV成孔，激光诱导深度刻蚀是主流，先用超快激光在玻璃内部扫出改性区，再用氢氟酸选择性刻蚀，这样孔壁光滑、无裂纹，深宽比能做到20:1。
镀铜环节更难，玻璃绝缘且表面惰性，铜附着力差，必须在孔壁先溅射Ti/Cr粘附层+Cu种子层，再用底向上电镀把铜填实，稍有空洞整个基板报废。
RDL重布线则考验线宽线距，现在要向2μm以下推进，多层堆叠能力决定最终互连密度。
产业格局-现在就是卡位期
玻璃基板时间线已经很明确，2026年中试验证，2027年大规模资本开支，2028年国内外链主确认方案并量产，2030-2032年渗透率起来。海外那边，台积电拉Ibiden和群创一起验证，英特尔自研+康宁供片，三星电机锁定2027年量产。国内京东方投了约10亿建TGV试验线，还和康宁签了三年备忘录；长信科技把显示面板减薄和HF刻蚀的经验直接搬过来；凯盛科技走国家队路线，从原片配方到TGV通孔全流程自研；力诺药包的中试线6月刚点火，进度算快的。
最后，
玻璃基板是个五年维度的长赛道，当前处于方案验证和产能卡位阶段。
数据来源：SWS 后摩尔时代的底层技术跃迁 玻璃基板深度报告
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