上海
8月17日，中信建投在电子行业深度报告半导体研报中指出，算存光共驱，封测产业价值重估。
对照全球先进封装工艺的发展路径，中国大陆的先进封装工艺目前正处于CoWoS 技术渗透率快速提升的阶段。由于中国大陆的晶圆代工厂暂未进行RDL 等中段工艺量产，而OSAT 厂商在2.5D/3D/CoWoS 领域均有所布局。我们认为，能够率先突破量产且完成产能扩张的OSAT 厂商有望形成先发优势，卡位占据较高的行业份额。但伴随产业发展趋势演进，我们认为类比台积电，中国大陆的晶圆代工厂在先进封装领域的重要性同样不可忽视，Foundry 在前道技术和设备产能的优势能够有助于其在先进封装技术迭代中实现追赶甚至反超。
先进封装作为后摩尔时代提升芯片性能的重要手段，是封测产业发展的主驱力和核心增量，全球先进封装规模由2019年的252.9亿美元增长至2024年的407.6亿美元，预计2029年达到674.4亿美元，2024—2029年CAGR 为10.6%，明显高于传统封装。中国大陆先进封装市场同样保持较快增长，规模由2024年的513.5亿元增至2029年的1,005.9亿元，CAGR 约14.4%，市场占比持续提升。其中2.5D/3D 增长最为突出，全球规模预计由2024年的81.8亿美元增至2029年的258.2亿美元，CAGR 达25.8%。
先进封装的驱动力已由智能终端逐步切换至AI、HPC 等高算力应用。随着芯片算力提升，I/O 数量由几十上百个快速增长至成千上万个，传统封装难以满足高密度互联需求，推动封装向Chiplet、2.5D/3D 异构集成演进；同时，HBM 由平面向高层数3D堆叠发展，进一步提升封装工艺需求。光互联方面，COUPE 推动光电转换环节向封装层下沉，形成算力、存储与光互联协同驱动的增长格局，先进封装在芯片性能提升中的重要性持续提高。
当前已形成以CoWoS 为基础、CoWoP、CoPoS、SoIC、EMIB等多技术路线并行演进的格局。CoWoS 已进入量产并广泛用于AI 芯片、HPC 及HBM；CoWoP 通过PCB 替代传统载板降低成本，CoPoS 通过大尺寸Panel 提升单位产出，SoIC 则通过更小键合间距进一步提高互连密度、降低延迟和功耗；与此同时，HBM持续向更高层数堆叠发展，COUPE 推动硅光与先进封装融合。在需求端快速增长下，先进封装供给持续紧张。
风险提示：先进封装需求不及预期风险，技术迭代与路线变化风险，客户导入及量产进度风险，产能扩张及盈利能力风险，供应链及制造良率风险。
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