北京
国家知识产权局信息显示，广福（杭州）半导体材料有限公司申请一项名为“一种高耐压的硅基氮化镓功率器件结构”的专利，公开号CN122602532A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高耐压的硅基氮化镓功率器件结构，包括硅基氮化镓功率器件的本体，所述本体由下至上依次包括：高阻硅衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上方设置有源极S与漏极D，所述AlGaN势垒层上方还设置有P-GaN栅帽，所述P-GaN栅帽上方设置有栅极G，栅极G与源极S、漏极D之间均设有绝缘层；本发明采用高阻硅衬底搭配AlN/AlGaN超晶格缓冲层，提升器件耐压，释放晶格应力，避免外延层破损，保证结构稳定，通过过载能量采集层与过载-温度双阈值联动单元，实现精准检测与可靠判定，防止误触发；配合自适应散热结构，显著提升散热效率，同时利用能量回收模块降低能耗，辅以抗压包覆结构与封装保护罩，增强抗冲击与防尘能力。
天眼查资料显示，广福（杭州）半导体材料有限公司，成立于2025年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，广福（杭州）半导体材料有限公司。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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