英特尔，重返存储？可能跟你想的不一样！

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“我刚聘了我的好朋友李锡熙，他以前掌管SK海力士——所以你大概能猜到我正在考虑什么。”

近日，英特尔CEO陈立武在Celesta Capital的《TechSurge》播客中的这句话，像一枚重磅信号，引发业界对其试图重返内存市场的猜想。

陈立武在公开访谈中松口：“过去我始终认为存储是低毛利的大宗商品生意，绝不碰；但AI时代完全不同了，我们正在研发全新的内存架构，探索CPU与内存3D堆叠的一体化方案。”

实际上，今年6月英特尔的一则人事任命也为此埋下了伏笔：前SK海力士CEO李锡熙正式加盟英特尔，出任英特尔代工（IFS）执行副总裁，直管先进封装、系统集成与后端制造，直接向CEO陈立武汇报。

更耐人寻味的是，这位存储老兵正是2020年SK海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存业务的核心操盘手。

结合近期英特尔的消息和动态，业界呈现两极分化的判断。

乐观派认为，英特尔手握x86 CPU架构话语权、全套先进封装技术与IFS代工平台，一旦打通计算与内存的架构级融合，将打破三星、SK海力士、美光等存储巨头对高端存储的垄断，为云厂商提供第二供应链选择。

谨慎派则指出，英特尔没有任何DRAM颗粒制造能力，核心介质完全依赖外部采购，充其量只能做封装集成服务商，无法撼动存储原厂的核心话语权。

英特尔存储的荣光与溃败

要理解如今的战略转向，必须先复盘半个世纪以来，英特尔在存储赛道的荣光、溃败与遗产。

这家公司的存储史，几乎就是半部全球半导体产业变迁史。

英特尔的起点，就是存储。

1969年英特尔推出DRAM芯片C1103，这是全球第一款商用DRAM芯片，到1972年便成为全球最畅销的半导体产品。巅峰时期占据全球近90%的DRAM市场份额，是名副其实的存储霸主。

在那个年代，英特尔就是存储的代名词——DRAM业务的辉煌为这家初创公司奠定了技术与商业的基石。

然而，辉煌并未持续太久。

1980年代，日本半导体产业崛起。日本半导体企业凭借举国体制加持，以极致的成本控制与产能规模发动价格战，迅速抢占全球DRAM市场。英特尔DRAM业务则持续亏损，市场份额快速萎缩。

到1987年，全球十大DRAM供应商中有七家来自日本。英特尔在这场成本竞赛中节节败退——1984年公司利润尚有1.98亿美元，1985年便跌至不足200万美元。

1985年，时任CEO安迪·格鲁夫与戈登·摩尔做出了一个被《经济学人》称为“半导体史上最重大的战略转向”的决定——砍掉存储器业务，All in微处理器业务。

这次撤退奠定了英特尔此后三十年在CPU领域的霸业，也刻下了其对存储业务的底层认知：标准化存储是重资产周期陷阱，不具备技术壁垒的规模竞争，英特尔没有优势。

从此，存储成了英特尔“失去的战场”。

进击NAND闪存，90亿美元断臂离场

退出DRAM二十多年后，早已在CPU市场名满天下的英特尔，再次把目光放到了存储赛道。不过，这一次选择的是NAND闪存。

2005年，英特尔与美光成立合资公司IM Flash，联合研发生产NAND闪存，抓住了SSD替代机械硬盘的产业风口。巅峰时期，英特尔企业级SSD市占率位居全球前列，大连12英寸NAND晶圆厂是其亚洲核心制造基地。

但重资产周期的魔咒再次应验。

三星持续扩产发动价格战，NAND闪存价格周期性暴跌，业务长期微利甚至亏损，拖累英特尔整体财报表现。与此同时，英特尔战略重心向先进制程、数据中心CPU与独立GPU倾斜，非核心资产需要剥离减负。

2020年10月，英特尔与SK海力士达成协议，以90亿美元总价出售全部NAND闪存业务，包含SSD产品线、大连晶圆厂及相关知识产权，交易分两阶段交割：

• 2021年12月完成第一阶段交割，SK海力士支付70亿美元，接管SSD业务与大连工厂资产；

• 2025年3月完成第二阶段交割，SK海力士支付剩余20亿美元，获得NAND晶圆设计IP与研发团队，交易彻底收官，对应业务以Solidigm品牌独立运营。

至此，英特尔彻底退出通用NAND市场，第二次从存储主战场战略性撤退。而这笔交易的操盘者，正是当时的SK海力士CEO李锡熙。

傲腾孤注一掷，仍难逃一死

在出售NAND的同时，英特尔保留了傲腾（Optane）业务，这可以看作是其第三次存储探索，也是最具技术野心的一次尝试。

傲腾基于3D XPoint介质，定位介于DRAM与NAND之间的存储级内存（SCM），宣称读写速度是NAND的千倍、寿命远超闪存，旨在填补存储层级空白，重构数据中心存储架构，被视为25年来存储芯片最大突破。

从技术角度来看，傲腾无疑是成功的。它在数据库、高频交易、实时计算等场景展现出碾压级性能，持久内存模式更是开创性地实现了内存级容量扩展。

但商业化上，傲腾依旧遭遇了彻头彻尾的失败。因成本过高、生态适配困难、消费级市场推广失败，最终叫好不叫座。2021年美光终止3D XPoint研发并出售工厂，2022年英特尔正式关闭傲腾业务。

几番尝试，相继折戟。英特尔在存储领域的履历，可谓写满了遗憾。

复盘英特尔几十年来的存储沉浮，其失败的底层逻辑基本一致：

• 模式错配：直接下场做标准化通用颗粒，陷入重资产、强周期、价格战的泥潭，与英特尔轻资产IP研发的基因相悖；

• 定位偏差：技术路线超前于产业生态，无法形成规模化商业闭环；

• 协同割裂：存储业务与处理器业务各自为战，没有从系统架构层面打通计算与存储的价值联动。

但这几次在存储领域的试错并非一无是处。它为英特尔积累并保留了大量相关技术和经验。尤其是傲腾技术在内存层级架构设计、持久内存软硬件协同、存储与计算协同优化的宝贵经验，这些技术沉淀，或许正是今天支撑英特尔再次勇敢探索的底层遗产。

为何再次转身？

针对开头提到的消息，英特尔选择在此刻重返存储，绝非一时兴起，而是AI浪潮下产业底层逻辑质变的必然结果。

2026年，存储芯片正处于一轮前所未有的超级景气周期。Omdia预计2026年全球半导体市场同比增长94.1%，存储芯片收入将占全球半导体总营收50%以上。摩根大通预测2026年全球存储市场规模约9690亿美元，2028年将达1.82万亿美元。高盛预测，面向定制ASIC AI芯片的HBM需求将飙升82%。

HBM市场方面，根据SEMI与集邦咨询数据，2026年全球HBM市场规模预计达到546亿美元，同比增长58%，占DRAM整体市场规模近四成；2028年将突破1020亿美元，三年复合增速高达44%。

供需失衡是本轮周期的核心特征。尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增DRAM产能向HBM倾斜，但整体供需缺口仍高达50%-60%，2026年全年HBM产能已被英伟达、AMD及头部云厂商提前包销殆尽。

更关键的是价值逻辑的质变。陈立武在播客中坦言：“我以前总说别投存储，因为那是商品业务，但现在一切都变了。”他将AI对存储的拉动定性为“战略性”机会。

过去50年，存储芯片的本质是“大宗商品”——遵循JEDEC通用标准，标准化生产、规模化销售、价格周期驱动，是典型的强周期重资产业务。如今，随着AI系统对存储带宽需求暴增，存储已从“配角”变成了AI基础设施的性能瓶颈和价值高地。

一方面，AI时代存储的价值重心从容量转向带宽与能效，HBM等新型存储不再是标准化耗材，而是与算力芯片深度绑定的系统级组件；另一方面，后摩尔时代，单靠制程工艺提升性能的边际效益递减，3D堆叠、异质集成成为主要性能增益来源，计算与存储的物理边界正在消融。

正如陈立武所言，直接在CPU上叠加内存“非常合理”，两者有很多方法可以堆叠在一起。

面对冯·诺依曼架构的先天短板以及存储器的挑战，当前行业的主流解法，是通过HBM堆叠、Chiplet异质集成、CXL内存扩展来缩短数据传输距离、提升带宽。但这些都只是过渡方案，真正的终极方向，是从物理层面打破计算与存储的边界，实现架构级融合。

这给英特尔带来了新的机会窗口。同时这也意味着，英特尔此次重返存储，或许不会重走自建晶圆厂、生产通用存储颗粒的老路。它的战场，从颗粒制造转移到了架构定义与系统集成。

因为行业不缺能造DRAM颗粒的厂商，但缺少同时具备顶级处理器架构定义能力、自研先进封装技术、晶圆代工量产能力的玩家，去做计算与存储的系统级整合。

剥离闪存、终止傲腾后，英特尔一度缺席AI浪潮的核心赛道。如今，存储行业正处于创新的关键时期，这往往也是格局重塑的窗口期。

陈立武强调长期主义，关注未来10-15年的产业平台建设。这一次，英特尔不想再错过。

英特尔重返存储，有哪些路径？

明确了时代背景，再分析英特尔的具体路径，可能会变得相对清晰。

请来“买走自己业务的人”

上文提到，今年6月英特尔宣布任命前SK海力士CEO李锡熙为代工业务执行副总裁，全面负责先进封装、系统集成、后段技术开发及后段制造，直接向陈立武汇报。

这一人事任命充满了戏剧性——2020年主导收购英特尔NAND业务的SK海力士代表，正是李锡熙本人。如今，这位买走英特尔最后一块内存业务的人，被请回来操盘英特尔最接近内存的部门。

更值得注意的是，李锡熙并非空降的外人。他曾在2000年至2010年间在英特尔担任工艺集成工程师，参与了从130nm到32nm节点的开发，并三次获得英特尔成就奖。此后他领导SK海力士，主导了HBM的开发。2018年12月起担任SK海力士CEO期间，公司HBM市占率攀升至约60%，市值从约370亿美元增长至超过800亿美元。

这就是文章开头那句话，陈立武在播客中特意点出这一任命作为信号：“我刚聘了我好朋友李锡熙，他以前掌管SK海力士——所以你大概能猜到我在想什么。”

IFS代工为载体，聚焦HBM封装

笔者认为，最容易落地、最快产生收益的路径，是英特尔依托IFS先进封装能力，与SK海力士开展HBM深度协同。

李锡熙的加盟，可以看作是英特尔与SK海力士深化合作的信任纽带。在台积电CoWoS产能不足的当下，双方的合作模式非常明确：SK海力士提供HBM存储颗粒，英特尔提供EMIB 2.5D封装、Foveros 3D封装技术，将HBM与Xeon CPU、英特尔GPU乃至第三方AI芯片做异质集成，向客户交付一体化封装成品。

对英特尔而言，这套模式有多重价值：

一是提升IFS代工业务的附加值，从单纯的逻辑晶圆代工升级为“逻辑芯片+存储颗粒+先进封装”的总包方案，拉高代工业务毛利率；

二是保障自身CPU、GPU产品线的HBM供应稳定，在行业缺货周期中获得供应链优势；

三是积累存储与逻辑芯片协同封装的量产经验，为下一代堆叠内存架构铺路。

ZAM堆叠内存，打造HBM替代架构

2026年2月，英特尔宣布与软银子公司SAIMEMORY合作开发ZAM（Z-Angle Memory）技术。

ZAM的核心思路，是将DRAM芯片以斜向角度堆叠在处理器上方，通过Z-Angle互连技术缩短数据传输路径，从物理层面击穿存储墙。根据已公开的技术参数，ZAM可降低40%-50%的功耗；量产成本仅为HBM的60%；单芯片容量最高可达512GB，是现有HBM的2至3倍，在散热表现上优于传统垂直堆叠方案。

根据VLSI官方会议列表泄露的预发布摘要，ZAM的“Via-in-One TSV”（一体化硅通孔）架构可实现约0.25Tb/s/mm²的超高内存带宽，数据传输功耗控制在0.35W/mm²以下。

该项目2026年一季度正式启动，计划于2027年推出原型产品，2030年前后实现全面商业化量产，目前已获得日本NEDO政府资金支持，力积电也加入阵营参与工艺研发。合作分工上，SAIMEMORY负责技术设计与知识产权管理，英特尔输出3D堆叠与内存架构经验，力积电与日本新科电子提供试产与制造支持。

值得注意的是，ZAM并不打算替代所有HBM场景，而是瞄准高功耗、大容量的AI训练与超算场景，主打能效比与成本优势，走差异化路线。它复用了英特尔傲腾时期积累的内存层级设计经验，是英特尔存储技术遗产的延续。

XBM：绕开硅中介层的“另类HBM”

XBM（Cross-Batch Memory，跨批次内存）是英特尔在2024年12月提交、2026年7月公开的专利申请（US20260191095A1）。

据了解，XBM的核心创新在于：将传统DRAM前端硅层中的存储单元移至后端金属互连层（BEOL），使用薄膜晶体管制造。同时，XBM放弃了HBM所需的约3000线并行总线——这条总线必须通过昂贵的硅中介层路由。取而代之的是，XBM将数据串行化到UCIe链路上，运行速率为32GT/s。

UCIe是英特尔与AMD、Arm、高通、三星和台积电共同制定的开放标准，意味着任何实现该标准的芯片都可以连接XBM，无需定制中介层。每个XBM芯片的容量在0.5GB至5GB之间。不过，BEOL晶体管DRAM尚未在制造规模上得到验证，32GT/s已是UCIe v2.0的当前速率上限。分析师预计XBM商业化不会早于2030年。

软硬件全栈生态，绑定CXL构筑壁垒

硬件架构之外，英特尔的另一重优势是软件生态。

英特尔可以在Xeon至强处理器架构中原生适配堆叠内存与CXL内存扩展，输出服务器BIOS、固件、底层驱动、虚拟化内存管理全套软件栈，为大客户提供从硬件到软件的一体化内存解决方案。

这种处理器架构+封装硬件+软件栈的全栈绑定，是纯存储厂商不具备的能力。对云厂商而言，采用英特尔的方案可以大幅降低服务器整机适配成本，实现内存调度的深度优化。

从通用到定制，AI存储的范式革命

要真正理解英特尔路线的价值，需要先看清一个行业底层趋势：存储正在告别大宗商品时代，全面走向系统级定制化。

三星前不久刚发布的zHBM，也是对这个趋势的一个佐证。

在2026年8月的FMS未来存储大会上，三星正式发布zHBM概念架构，彻底颠覆了传统HBM的形态。

传统HBM采用2.5D布局，内存颗粒与处理器并排放置在中介层上，数据横向传输；而zHBM将HBM通过晶圆混合键合技术直接垂直堆叠在AI加速器（xPU）正上方，数据传输距离从毫米级压缩到微米级。

三星公布的目标性能指标极为激进：

• 综合性能达到HBM5的约8倍；

• 内存密度超过HBM5的10倍；

• 能效提升3倍，热阻降低50%以上；

• 支持中间层定制IP嵌入，可根据客户需求植入内存控制器、加速模块等，实现一客一定制。

zHBM的本质，是存储原厂利用IDM全栈优势，将存储从标准化元器件升级为算力绑定的定制化组件。它不再是通用的存储芯片，而是AI系统的一部分。三星凭借自研DRAM颗粒+晶圆键合工艺+架构设计的全链条能力，走的是一条重资产、高壁垒的垂直闭环路线。

对比来看，英特尔走的是另一条完全不同的定制化路线，它不掌握颗粒制造，而是依托封装与架构能力做系统级定制集成商。

整体来看，英特尔的定制化能力分为三层：

• 封装硬件定制：依托EMIB、玻璃基板技术，为不同客户的CPU、GPU、AI芯片提供个性化的“逻辑芯片+HBM颗粒”异质集成方案，在中介层嵌入自定义加速IP；

• 架构协议定制：以ZAM斜向堆叠架构对标zHBM的Z轴革命，依托UCIe联盟主导地位，打通不同算力芯片与堆叠内存的高速互联，提供可裁剪的带宽、容量与时延参数；

• 软件生态定制：基于CXL 3.0协议为大客户定制内存虚拟化池、分层存储调度算法、AI负载专属内存管理固件，形成软硬件全栈闭环。

对英特尔而言，重返存储的最大优势在于：它自己就是那个“赢家候选人”——如果XBM/ZAM能与英特尔CPU和代工业务形成协同，它将不必像三星那样押注外部客户，而是可以自产自销，构建从计算到存储的完整闭环。

重返之路，绝非坦途

当然，我们不能只看利好。英特尔此次重返存储，依然面临诸多不容忽视的短板与不确定性。

一方面，如果按照上述路径推理来看，英特尔没有内存颗粒制造能力，终究受制于人。无论是HBM封装协同还是ZAM堆叠内存，核心存储介质都需要向三星、SK海力士、美光采购。在行业供需紧张的周期中，上游原厂掌握绝对话语权，英特尔的定制化业务可能面临颗粒供应不足、成本居高不下的问题。在超大客户的深度锁单定制项目中，没有自有产能的英特尔议价能力也会弱于三星等IDM厂商。

其次是技术落地周期偏长。ZAM架构要到2030年才能全面量产，而三星zHBM预计2028-2029年即可落地，英特尔存在1-2年的窗口劣势，可能错过AI存储的最佳爆发期。同时，ZAM还面临生态兼容性挑战——HBM在生态系统、标准化以及与GPU/AI加速器设计的整合方面拥有巨大领先优势。

此外，内部组织协同也是挑战。IFS代工、CPU事业部、先进封装部门分属不同体系，跨团队磨合难度大，能否顺利统筹各方资源、推动战略落地，仍有待观察。况且，英特尔当前的财务状况也让其重返内存的命题略显沉重。

还有一点需要注意——AI资本开支的波动。如果大模型投融资放缓、AI算力需求增速回落，HBM及高端堆叠内存的景气度将大打折扣，英特尔新架构的商业价值也会随之打折。

AI时代存储的竞争，已经逐渐脱离了谁能造出更多颗粒的初级阶段，转向谁能最优打通计算与存储系统架构的高阶竞争。三星走IDM自研颗粒+zHBM垂直堆叠的重资产定制路线，SK海力士也在推进HBM4定制化Base Die方案，英特尔走架构定义+封装代工的轻资产定制路线。

从50多年前的1103 DRAM到如今试图重返赛场，英特尔的存储故事走过了半个多世纪。这一次的不同在于：英特尔或许不再是追逐大宗商品市场的份额，而是在AI时代重新定义计算与存储如何在一起。

这个曾经在存储领域写下辉煌与遗憾的名字，正试图在这个关键时期重新落子。

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