北京
BAE系统公司正在推进美国国防高级研究计划局（DARPA）一项旨在解决高功率射频电子器件最持久瓶颈之一——“热”问题的项目，并已获选进入第二阶段。
BAE系统公司的FAST Labs研究组织已完成DARPA“器件级电子器件散热技术”（THREADS）项目的第一阶段，并将继续开展第二阶段研究。该项目重点针对氮化镓（GaN）器件。GaN已广泛用于高性能雷达、电子战和通信系统。
问题原理简单但解决困难：射频晶体管功率提升会产生更多热量。若热量无法有效导出，晶体管的性能和可靠性就会下降，导致电子器件无法达到理论功率极限。
DARPA设立THREADS项目，意在器件内部解决问题，而非简单地在外部增加传统冷却系统。该项目聚焦两大挑战：一是在保持电性能的同时降低晶体管内部热阻；二是在不降低射频性能的前提下，将高功率晶体管区域的热量高效导出。
为什么GaN如此重要？GaN是一种宽禁带半导体，在军用射频电子领域日益关键。相比老一代半导体技术，GaN能在更高功率密度和更高频率下工作，特别适用于现代有源电子扫描阵列（AESA）雷达和电子战系统。
DARPA此前指出，与早期晶体管技术相比，GaN的功率密度已提升超过5倍；但如果工程师能克服散热难题，理论上还可实现更大提升。射频功率直接决定雷达、通信等系统的能力上限，因此这项研究对下一代军事电子系统意义重大。
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