北京
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IT之家 8 月 14 日消息，据科技媒体 Wccftech 今天报道，三星正重新规划一座在建的生产线，用于制造 HBM（高带宽内存）的基础裸片（Base Die）。
业内消息称，该生产线将采用 2nm 尖端制程工艺，预计两年后才能投入运行，因此未来方案仍存在调整的可能。
HBM 基础裸片持续升级，首次重大变化出现在 HBM3 和 HBM3E 时代。随着数据传输速率大幅提升，厂商开始使用晶圆代工制程制造基础裸片，采用 20nm 到 12nm 不等的逻辑工艺。
而 HBM4 采用性能更强的总线和更多硅通孔（TSV），基础裸片进一步升级，台积电和三星晶圆代工等厂商开始承担制造工作。
除三星外，SK 海力士也将与晶圆代工厂合作生产 HBM 芯片，其已与台积电合作，后者提供成熟的 N12 工艺及先进 N5 工艺用于制造相关芯片。
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