北京
国家知识产权局信息显示，华世德电子科技（昆山）有限公司申请一项名为“一种具有梯度过渡层的玻璃微熔MEMS硅应变片传感器及其制备方法”的专利，公开号CN122544625A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具有梯度过渡层的玻璃微熔MEMS硅应变片传感器及其制备方法，涉及微机电系统传感器技术领域。该传感器包括不锈钢弹性体、MEMS硅应变片及微熔玻璃键合层，核心改进在于硅应变片与微熔玻璃层之间设有由至少三层热膨胀系数呈梯度变化的无机薄膜构成的梯度过渡层，实现热膨胀系数平滑过渡以缓冲热失配应力；同时在电极表面设置Ta/TaN双层阻挡层防止高温损伤，在应变片周边刻蚀填充低弹性模量介质的环形应力隔离槽阻断边缘热应力。本发明显著提升了温度稳定性和长期可靠性，且工艺兼容标准MEMS工艺，易于批量生产。
天眼查资料显示，华世德电子科技（昆山）有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本10500万人民币。通过天眼查大数据分析，华世德电子科技（昆山）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可24个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
