北京
国家知识产权局信息显示，云际芯光（珠海）微电子有限公司申请一项名为“氮化铝钪薄膜的刻蚀方法”的专利，公开号CN122555376A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请公开了一种氮化铝钪薄膜的刻蚀方法，包括：在衬底上依次形成金属层、氮化铝钪薄膜和氧化层；在氧化层上形成图形化掩膜；对氧化层进行湿法刻蚀以转移图形；采用包含氯气、三氯化硼、惰性气体和氢气的混合气体产生等离子体，对氮化铝钪薄膜进行干法刻蚀，以形成贯穿氮化铝钪薄膜的图形，图形具有各向异性的刻蚀轮廓且其侧壁无再沉积层。本申请通过采用包含氯气、三氯化硼、惰性气体和氢气的混合气体作为刻蚀气源，利用等离子体物理轰击与化学反应的协同作用，实现对氮化铝钪薄膜的高效图形化。该刻蚀方法在有效抑制刻蚀残留物堆积的同时，兼具高刻蚀速率与高度各向异性的刻蚀特征，显著提升氮化铝钪薄膜的图形化质量与工艺稳定性。
天眼查资料显示，云际芯光（珠海）微电子有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1573.619703万人民币。通过天眼查大数据分析，云际芯光（珠海）微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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