北京
国家知识产权局信息显示，武汉高芯科技有限公司申请一项名为“双台面红外焦平面像元结构、隔断型芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122555256A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及红外焦平面探测器技术领域，具体涉及一种双台面红外焦平面像元结构、隔断型芯片及其制备方法，包括像元凸台，像元凸台具有像元台面、底面以及连接像元台面和底面的侧壁，底面上设置有接触层，侧壁上设置有凹陷部，凹陷部自像元台面延伸至接触层，并在接触层上形成接触台面；像元台面上设置有第一电极，接触台面上设置有第二电极。本发明通过在像元凸台侧壁上设置凹陷部并自像元台面延伸至接触层，在接触层上形成接触台面，从而形成双台面红外焦平面像元结构，并在像元台面和接触台面上分别设置第一电极和第二电极，使单个像元形成独立的电学回路，彻底解决了大面阵及超大面阵红外焦平面芯片中间和边缘区域像元开启电压不一致的问题。
天眼查资料显示，武汉高芯科技有限公司，成立于2013年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本33800万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉高芯科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目132次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息460条，此外企业还拥有行政许可23个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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