GaN专利战升级！纳微半导体起诉瑞萨侵权！

继今年7月瑞萨电子（Renesas）率先对纳微半导体（Navitas）发起侵犯氮化镓（GaN）商业机密诉讼后，当地时间8月10日，纳微半导体向美国德克萨斯州东区联邦地区法院对瑞萨提起专利侵权反诉，指控其主要GaN产品线侵犯其四项核心技术专利。这场在一个月内迅速演变为“互诉”的法律纠纷，凸显了AI时代背景下，围绕下一代功率半导体技术的知识产权争夺已进入白热化阶段。

纳微半导体起诉瑞萨侵犯四项GaN专利

根据纳微半导体向美国德克萨斯州东区联邦地区法院正式提起专利侵权诉讼（案件编号为2:26-cv-00676）文件显示，纳微半导体指控瑞萨电子旗下的SuperGaN功率半导体等主要GaN产品线侵犯了其四项美国专利，专利号分别为US 9,929,079、US 11,545,838、US 11,770,010、US 11,862,996，主要涉及功率转换与高效能源管理领域。

纳微半导体总裁兼首席执行官Christopher Allexandre在声明中表示：“纳微是氮化镓领域的早期创新者和领导者，我们率先将氮化镓技术推向规模化应用。我们在氮化镓和高电压碳化硅领域进行了大量研发投资，并通过强大的知识产权保护了自己的创新成果。我们尊重合法的知识产权，并期望竞争对手也这样做。”

Allexandre强调，此次诉讼是为了“捍卫知识产权，为员工、客户和合作伙伴而战，也是为公平竞争和创新奖励原则而战，这些原则对整个功率半导体市场至关重要。”

纳微半导体声称，其业务建立在独立研究、卓越工程和投资的基础上，拥有强大的全球知识产权组合，在全球拥有超过300项已授权或正在申请中的专利。用于AI基础设施的高功率产品正推动纳微半导体业绩增长，并在2026年第二季度取得强劲业绩，预计第三季度增长将加速。

目前，纳微半导体已经向德克萨斯州法院寻求未具体金额的金钱赔偿以及法院禁令，以阻止瑞萨继续侵犯其专利。

瑞萨起诉纳微半导体侵犯商业机密

纳微半导体此次起诉瑞萨专利侵权，被业界认为是对于2026年7月瑞萨起诉纳微半导体侵犯商业机密的回击。而双方之间的这场专利战的导火索，源自2026年7月的一场高管人事变动。

2025年9月，纳微半导体从瑞萨挖来了一位关键人物——时任瑞萨电源事业部高级副总裁兼总经理的Allexandre，任命其为纳微新任CEO。而Allexandre并非单枪匹马赴任，另一位瑞萨高管Felicia Cheng也同期转投纳微。正是这次高管团队的整体跳槽，引发了瑞萨的强烈反应。

2026年7月22日，瑞萨向美国加州北区联邦地区法院正式提起诉讼，指控纳微半导体通过挖角员工窃取GaN商业机密，矛头直指Allexandre和Cheng二人。

瑞萨在诉状中提出了一个极具杀伤力的指控：Allexandre和Cheng将包含瑞萨商业机密的机密PPT演示文稿带到了纳微。这些材料涉及瑞萨为AI数据中心设计的下一代GaN芯片的秘密产品规格、技术路线图和市场时机规划。

瑞萨认为，这些信息一旦落入竞争对手手中，后果将是毁灭性的。瑞萨在诉状中直言：“任何瑞萨的竞争对手（如纳微）都可以利用这些演示文稿中的信息，复制瑞萨设计的相同秘密产品规格，并掌握瑞萨的时间表，从而抢在瑞萨之前将产品推向市场，抢夺价值数十亿美元的合同。”

瑞萨还指出，Allexandre出任纳微半导体CEO后不久，纳微半导体便宣布了“2.0”新战略，该战略在目标客户、技术方向和市场机会上，与瑞萨被盗的机密计划高度吻合，瑞萨称其为“直接镜像”。

资料显示，在加入纳微之前，Allexandre在瑞萨任职多年，直接掌管着瑞萨的电源管理业务，对公司GaN技术布局了如指掌。纳微半导体在起诉瑞萨的诉状中提到的瑞萨“SuperGaN”等主要产品线，正是其昔日所辖业务领域。

纳微半导体正同时应对Wolfspeed与瑞萨夹击

值得注意的是，纳微半导体目前正面临“两线作战”的困境。

今年7月初，即瑞萨起诉纳微半导体之前，碳化硅（SiC）龙头Wolfspeed已先行向美国联邦法院提起诉讼，指控纳微半导体的GaN和SiC产品侵犯其多项专利。

对此，Allexandre曾在7月底的第二季度财报电话会议上做出强硬回击，将Wolfspeed的诉讼形容为“骚扰和恐吓行动的最后一步”，并暗示诉讼时机与市场竞争态势相关。

Allexandre透露，瑞萨持有Wolfspeed高达39%的股份（根据2026年3月31日的SEC文件），并质疑：“这一切发生在财报前一周，难道只是巧合？如果你正在赢得市场份额，且你的技术更优越，你不会这样发起诉讼。”

AI热潮下，GaN专利战正在激增

瑞萨与纳微半导体这场专利战的背后，是GaN技术在AI数据中心、高性能计算及能源基础设施等领域日益增长的战略价值。

在AI基础设施对算力和能效的极致渴求下，GaN功率半导体正成为从快充到AI数据中心电源管理的“关键”。特别是随着AI数据中心向800V高压架构演进，为GaN创造了关键的应用场景——相比传统硅基IGBT，GaN开关频率高约十倍、能耗低约三成，已成为AI基础设施电源方案的核心技术路径。

据Yole等机构测算，GaN功率半导体市场营收的年复合增长率高达49%，预计到2028年市场规模有望突破20亿美元，而到2030年则可能逼近30亿美元。

这片增长潜力巨大的市场，也迅速演变为全球半导体巨头与新兴力量之间激烈厮杀的专利战场。2025年以来，围绕GaN技术的知识产权诉讼呈现增长态势，案件横跨美国、德国、中国等多个司法辖区，硝烟弥漫。除了前面提到的瑞萨与纳微半导体、Wolfspeed与纳微半导体的专利诉讼之外，还中国GaN大厂英诺赛科与宜普电源转换公司（EPC）的专利诉讼，以及英诺赛科与英飞凌的专利诉讼。

编辑：芯智讯-浪客剑