浙江
据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子旗下代工业务（Samsung Foundry）虽然一直在对其芯片制造工具进行升级，但目前尚未承诺引入阿斯麦（ASML）新一代的高数值孔径极紫外光刻设备（High-NA EUV）。这一战略预计将在 2030 年三星研发 1nm 制程节点时发生改变。届时，三星将成为顶尖半导体芯片厂商中较晚引入 High-NA EUV 设备的厂商之一。
在行业竞争格局中，英特尔目前正逐步推进其 14A 制程节点利用 High-NA EUV 工具进入风险试产阶段；而台积电则预计将在 2029 年引入该设备。三星选择较晚接入并不意味着其技术落后或急于追赶，因为公司目前依靠现有的 Low-NA EUV 设备表现依然稳健。台积电此前也曾公开发表声明，表示目前利用现有的 Low-NA EUV 技术，通过在每一代节点上限缩尺寸并进行改进，依然可以维持强大的竞争优势。
成本因素是主要考量之一。Low-NA 设备的价格仅为顶级 High-NA EUV 系统的一半。ASML 最先进的 High-NA EUV 单台设备售价高达约 4 亿美元，即使对于现代晶圆厂而言也是一笔极其昂贵的投资。因此，台积电选择暂缓引入，通过现有的 Low-NA 技术实现类似的技术收益，而三星显然也采取了相似的跟进策略。
目前 Low-NA EUV 光刻技术的应用普遍采用多重曝光（multi-patterning）技术，即通过 EUV 设备在单层结构上进行多次雕刻。通过进行两次 Low-NA 蚀刻，晶圆厂可以获得接近 High-NA 曝光的技术效果，从而有效降低了对新设备的需求。尽管 Low-NA 多重曝光技术存在局限性，但这将在未来通过引入 High-NA 系统加以解决，而适用节点将集中在 1nm 及以下。这一技术路线的发展时机恰好与三星代工规划在 2030 年上线 High-NA 系统的路线图相吻合。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
