上海
分享至
8月11日，据财闻海外资讯，SK海力士正致力于推进其极紫外光刻(EUV)技术，以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径(High-NA)EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。
与常规半导体曝光工艺材料氟化氩（ArF）相比，EUV具有1/13（13.5纳米）的较短光波长，得益于此，需要用ArF进行多次曝光（多图案化）的超细工艺可以在更少或单一（单图案化）工艺中实施，减少图案化工艺的数量对于降低制造成本和提高生产率是有利的。
SK海力士副总裁说，“我们正在考虑所有措施，如多图案EUV或引入高NA单一图案，以大规模生产极端微工艺。高NA EUV设备于去年底推出，今年开始研发。”
据报道，采用了相移掩模（PSM）来增强EUV性能。掩模是刻有特定电路的板。在EUV掩模的情况下，电路通过反射入射光源刻在晶片上。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
