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来源：市场资讯
（来源：中化新网）
中化新网讯 近日，山东晶镓半导体有限公司成功突破大尺寸氮化镓(GaN)单晶生长、晶体加工等关键技术，生长出近5英寸原生GaN单晶，推动了半导体产业链关键环节自主可控，为蓝绿光激光器、高端LED、电力电子等领域提供了核心材料支撑。
据悉，第三代半导体是全球科技竞争的焦点，GaN作为核心关键材料，具有开关速度快、导通电阻低的特性，制成功率器件后能大幅降低电能转换损耗，广泛应用于5G通信、新能源汽车、高端显示等领域。但该材料长期被国外垄断，成为制约我国半导体产业链自主可控的关键瓶颈。
GaN单晶生长是业内公认的“硬骨头”，它熔点高达2300℃，分解压却超过6万大气压，传统熔体法根本行不通。“我们依托山东大学晶体材料几十年的大尺寸晶体生长积累，坚定走氢化物气相外延路线，并自主研发了支持多片式生长的大尺寸晶体生长设备。”该公司董事长张雷表示，他们自主攻克了GaN单晶衬底的低损伤研磨、化学机械抛光、清洗全流程，使表面粗糙度稳定低于0.2纳米，研制出“开盒即用”的衬底材料，相关产品已成功应用于头部企业和科研机构。
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