北京
国家知识产权局信息显示，淄博芯材集成电路有限责任公司申请一项名为“基于金属间半导体薄夹层的导电性改良结构与制备方法”的专利，公开号CN122535280A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于金属间半导体薄夹层的导电性改良结构与制备方法，属于集成电路先进封装技术领域，旨在解决现有金属互联结构因尺寸效应导致电阻率升高的问题。该结构包括从下到上依次叠放的衬底、金属‑半导体薄层交替叠层及图形化金属覆盖层，半导体薄层为二维/准二维材料，金属覆盖层与半导体薄夹层边缘形成载流子注入通道。制备方法包括衬底清洁、金属‑半导体交替叠层制备及图形化、金属覆盖层制备及图形化。本发明通过改变载流子传输机理，规避尺寸效应，兼顾导电性能与机械稳定性，兼容现有微纳加工工艺，成本低、易规模化生产，可实现线宽/线距不劣于4μm的传输线结构，适用于先进封装再分布层。
天眼查资料显示，淄博芯材集成电路有限责任公司，成立于2021年，位于淄博市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5066.6万人民币。通过天眼查大数据分析，淄博芯材集成电路有限责任公司参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可65个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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