北京
国家知识产权局信息显示，威弗洛得有限公司申请一项名为“通过热自分裂工艺制造用于高品质III族氮化物半导体的工程化生长衬底的方法”的专利，公开号CN122536293A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供一种通过热自分裂工艺制造用于高品质III族氮化物半导体的工程化生长衬底的方法，其包括：籽晶衬底准备步骤，准备将生长用于形成预定器件的外延层的籽晶衬底；籽晶衬底改质步骤，向所述籽晶衬底照射隐形激光（Stealth Laser）以在所述籽晶衬底内部形成改质层（Reforming Layer）；晶圆键合步骤，将所述籽晶衬底与支撑衬底以预定的晶圆键合层为介质进行晶圆键合；热自分裂步骤，以所述改质层为中心的两侧的所述籽晶衬底各自具有包括热膨胀率（Thermal Expansion Coefficient）的热特性的定量差异或结构性不对称，从而通过形成于所述改质层的热应力或机械应力在无外力的情况下分离；以及平坦化步骤，对以所述籽晶衬底及所述改质层为界从所述籽晶衬底分离而形成的籽晶区域的相互面对的两个面进行平坦化。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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