北京
国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种LED外延片制备方法及Micro-LED”的专利，公开号CN122535039A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种LED外延片制备方法及Micro‑LED，通过对多量子阱层进行优化设计，多量子阱层为InGaN层/AlGaN层/GaN层的周期性叠层结构，其中，在单个周期的InGaN层/AlGaN层/GaN层生长过程中，InGaN层的In组分线性递增，AlGaN层的Al组分线性递增；单个周期的InGaN层的厚度为1nm~2nm，单个周期的AlGaN层的厚度为2nm~4nm，单个周期的GaN层的厚度为2nm~4nm，具体的，In组分和Al组分渐变的方式，以及超薄层设计，可以显著削弱QCSE，提升波函数重叠机率并缩短载流子寿命加速响应，从而大幅提高调制带宽与光输出功率。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1716条，此外企业还拥有行政许可62个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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