北京
国家知识产权局信息显示，NANO科技（北京）有限公司申请一项名为“晶圆、背照式雪崩光电探测器及其外延层厚度的监测结构”的专利，公开号CN122534978A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本公开提供一种晶圆、背照式雪崩光电探测器及其外延层厚度的监测结构。探测器包括衬底、硅外延层、光吸收层、层间介质层及反射结构。反射结构位于光吸收层背面，可将透射光反射回吸收层，提升量子效率。监测结构设于晶圆测试区域，与主器件同步制备，包括衬底掺杂区、本征硅外延层和上部掺杂区，形成P‑I‑N结构，通过测量雪崩击穿电压反推外延层厚度。测试区域可设多个监测单元，分别对应单层或叠层外延结构，实现工艺过程的原位监控。本公开解决了同质外延层厚度难以测量的问题，提升了器件一致性和量产可控性。
天眼查资料显示，NANO科技（北京）有限公司，成立于2007年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本14578.66335万人民币。通过天眼查大数据分析，NANO科技（北京）有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息164条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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