北京
国家知识产权局信息显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司申请一项名为“一种MOS制备方法及MOS器件”的专利，公开号CN122534897A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种MOS制备方法及MOS器件，本申请实施例在防静电层中的掺杂杂质扩散过程中不会影响第一沟槽和第二沟槽中填充的第一多晶硅形貌，进而改善漏源饱和电流IDSS。本申请针对LDMOS导通电阻高、芯片面积大等缺点，结合沟槽场效应晶体管优点，通过对防静电层工艺过程优化，实现一种可增大电流密度、降低单位芯片面积导通电阻，并改善漏源饱和电流IDSS的正面漏极沟槽MOS制备方法。
天眼查资料显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本126097.0295万人民币。通过天眼查大数据分析，豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了48家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息37条，专利信息223条，此外企业还拥有行政许可18个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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