北京
来源：新浪财经-锐眼工作室
近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，深圳市鹏进高科技有限公司与深圳市重大产业投资集团有限公司共同提交的“SiC MOSFET PSM40P170I0功率芯片版图结构”布图设计正式获得国家知识产权局的布图设计专有权公告，标志着该款碳化硅功率芯片的核心版图设计成果获得官方层面的知识产权确认，将为相关主体在第三代半导体功率器件领域的技术成果保护与商业化落地提供坚实的制度支撑。
本次公告的布图设计针对SiC MOSFET功率芯片的核心版图架构进行了自主研发优化，相关专有权的获批将帮助两家权利人进一步筑牢自身在宽禁带半导体功率器件赛道的技术护城河，为后续产品的市场推广与产业应用扫清知识产权层面的潜在障碍。
项目详情 发布时间2026年8月5日 布图设计登记号BS.265528046 布图设计申请日2026年3月11日 公告日期2026年8月5日 公告号98396 布图设计名称SiC MOSFET PSM40P170I0功率芯片版图结构 布图设计权利人深圳市鹏进高科技有限公司、深圳市重大产业投资集团有限公司 布图设计创作人顾才鑫、张梦龙、刘钊、张功浩 布图设计创作完成日2025年6月25日
从本次公开的公告细节来看，该布图设计相关信息脉络清晰：本次公告的官方发布时间与公告日期一致，为2026年8月5日，对应的布图设计登记号为BS.265528046，相关主体于2026年3月11日正式向国家知识产权局提交该布图设计的专有权申请，最终获批的公告号为98396。该布图设计全称为SiC MOSFET PSM40P170I0功率芯片版图结构，属于第三代半导体碳化硅功率芯片领域的核心版图设计成果，共有两位权利人，分别是专注于功率芯片研发的深圳市鹏进高科技有限公司，以及深圳市属重大产业投资平台深圳市重大产业投资集团有限公司，顾才鑫、张梦龙、刘钊、张功浩四名核心技术人员共同完成了该布图设计的创作工作，创作完成时间为2025年6月25日，该成果已于2025年12月29日完成首次商业利用，目前已进入市场化落地阶段。
天眼查数据显示，深圳市鹏进高科技有限公司成立日期2022年4月11日，法定代表人陈敦利，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业类型为有限责任公司，企业规模为小型，参保人数124人，注册资本210800万人民币，实缴资本210800万人民币，注册地址为深圳市龙岗区平湖街道山厦社区新厦大道81号1栋301。股东信息如下：
股东名称持股比例认缴出资额（万元）认缴出资日期深圳市鹏进高科技合伙企业（有限合伙）99%208692万元人民币2023年11月27日深圳市深芯恒科技发展有限公司1%2108万元人民币2023年11月27日
天眼查数据显示，深圳市重大产业投资集团有限公司成立日期2019年5月16日，法定代表人戴军，所属行业为商务服务业，企业类型为有限责任公司(国有独资)，企业规模为小型，参保人数44人，注册资本1081400万人民币，实缴资本1081400万人民币，注册地址为深圳市南山区粤海街道高新区社区科苑南路3156号深圳湾创新科技中心2栋A座3901。股东信息如下：
股东名称持股比例认缴出资额（万元）认缴出资日期深圳市人民政府国有资产监督管理委员会100%1081400万元人民币2024年1月31日
点评分析
本次SiC MOSFET功率芯片布图设计获国家知识产权局授权，是双方自主研发的核心成果获官方确权，既筑牢了两家主体在宽禁带半导体赛道的技术护城河，也扫清了后续产品市场化推广的知识产权潜在障碍，为第三代半导体功率器件的商业化落地提供了坚实的制度支撑。
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