北京
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在近日举行的FMS 2026大会上，三星、铠侠/闪迪、Marvell和NVIDIA等公司集中展示了最新的存储与内存技术。其中，三星的400+层V10 BV-NAND和zHBM架构成为本次展出的焦点，铠侠/闪迪则联合发布了BiCS10 QLC NAND。
三星此次推出的V10 BV-NAND层数超过400层，是NAND闪存首次突破这一门槛。同时，该公司还公布了zHBM架构，进一步扩展了高带宽内存方案。这两项技术均指向更大的存储密度和更高的数据吞吐效率。
铠侠与闪迪的BiCS10 QLC NAND也受到关注，该产品延续了高容量、低成本的路线。Marvell则在大会上展示了基于光子织物的内存池化技术，尝试通过光互联来降低内存访问延迟。NVIDIA宣布开源cuFile并启动Storage-Next计划，旨在优化大规模存储系统的数据流处理。
多家厂商在FMS 2026上的密集发布，显示出存储与内存技术正快速向更高层数、更高效互联方向演进。
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