北京
国家知识产权局信息显示，北京紫亦芯集成电路有限公司申请一项名为“具备中间金刚石导热层的GAA异质堆叠结构及制造方法”的专利，公开号CN122514288A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种具备中间金刚石导热层的GAA异质堆叠结构及制造方法，包括多个堆叠的GAA堆叠晶圆，每个晶圆为双面2nm GAA集成结构，中间硅基板组合内嵌有金刚石导热层；制造方法包括：将第一片2nm GAA晶圆临时键合于玻璃载板，背面蚀刻形成导热空腔，采用MPCVD原位生长高致密多晶金刚石；对第二片2nm GAA晶圆背面减薄并临时键合；在金刚石层及第二片晶圆电路表面低温混合键合；激光剥离载板；通过微凸块和铜‑铜键合实现多层堆叠，并封装于封装层内，在封装层内设置导热微通道，用于外部冷却系统连接。本发明通过双层导热彻底消除3D堆叠热累积效应，支持双面GAA满载运行不降频，同时实现算力密度翻倍。
天眼查资料显示，北京紫亦芯集成电路有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本21000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京紫亦芯集成电路有限公司参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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