北京
IT时代网8月5日消息，三星电子在加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球闪存峰会（FMS 2026）上，正式发布了新一代人工智能存储技术。
唱主角的是采用全新晶圆键合架构的V10 Bonding V-NAND原型芯片，简称BV-NAND。这颗芯片堆叠层数超过400层，凭借结构上的创新设计，存储密度较前代V9 NAND提升约58%，读取、写入及输入/输出性能也都有显著增强。目标很明确，就是冲着AI系统对高容量、高能效存储的迫切需求去的。
这种需求正在变得更急。AI工作负载已经从大规模模型训练，延伸到实时推理与用户查询响应这些环节，高容量NAND闪存的需求随之持续攀升。三星方面称，BV-NAND不只是密度上的一次飞跃，也为数据中心和边缘计算场景提供了更具竞争力的能效方案。
同场亮相的还有业界首款zHBM和zNAND-O概念模型。传统HBM内存是平铺在AI芯片旁边的，zHBM换了个思路——垂直堆叠，把存储单元直接置于AI加速器上方，数据传输路径因此大幅缩短，带宽提上去了，功耗降下来了。三星给出的数据是：借助晶圆键合技术，zHBM的存储密度可达传统HBM5的10倍以上，能效提高3倍，热阻降低超过一半。
市场层面存在分歧。有投资者担心中国市场智能手机需求疲软会拖累内存的长期前景，但分析师普遍认为，AI相关需求依然异常强劲。三星近期披露的一个数字或许更说明问题：与客户签订的长期供应协议，有望占到其内存销售额的60%到70%。
注：本文中包含AI辅助创作的内容。
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