北京
智通财经获悉，在人工智能算力竞赛进入深水区之际，存储行业巨头SK海力士(SKHY.US)与闪迪(SNDK.US)于美国加州圣克拉拉举行的“2026年未来存储与内存大会”(FMS 2026)上，联合发布了高带宽闪存(High Bandwidth Flash，HBF)的首个标准规范。
这项历时约6个月、由产业联盟共同推动的里程碑式成果，标志着AI存储赛道正式迎来一名“重磅玩家”。HBF定位于高带宽内存(HBM)与固态硬盘(SSD)之间的新型存储层级，旨在为日益增长的AI推理需求提供兼顾高带宽与大容量的解决方案。
技术破局：破解AI时代的“内存墙”难题
随着AI从模型训练向大规模推理应用扩展，传统存储架构正面临严峻挑战：HBM虽带宽极高但成本昂贵、容量有限，而SSD虽容量大却带宽不足。HBF正是为解决这一“内存墙”瓶颈而生。
根据发布的规范，HBF在技术参数上实现了带宽与容量的平衡：
容量与堆叠：支持8层和16层NAND芯片堆叠配置，最高容量可达512GB。
带宽分级：划分为三个性能等级(Grade 1~3)，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s的可扩展范围。
开放互联标准：采用行业标准的通用芯粒互连技术UCIe作为连接接口，为HBF与GPU、CPU等不同类型处理器的灵活集成奠定了基础。
值得注意的是，该规范并非企业私有标准，而是通过全球最大的开放数据中心技术组织OCP(Open Compute Project)向全行业公开发布。这一举措意味着HBF将成为产业通用开放标准，有望加速整个AI存储生态的成熟。
生态集结：谷歌与Tenstorrent入局
标准化只是第一步，构建产业生态才是关键。目前，HBF联盟已成功吸引谷歌(Google)与AI芯片初创公司Tenstorrent加入。
SK海力士将在FMS 2026大会期间通过多场活动展示HBF战略：
主题演讲：SK海力士解决方案开发担当副社长金千成与下一代产品规划担当副社长姜郁成将联合发表题为“代理式人工智能时代下，基于分层存储器的高效AI基础设施构建”的演讲。
圆桌讨论：8月6日，SK海力士、闪迪与谷歌DeepMind将共同参与“借助HBF突破内存墙”的专题讨论。
战略纵深：第十代375层4D NAND首次亮相
作为此次发布的配套“重器”，SK海力士还在FMS 2026展会上首次公开展示了正在研发中的第十代(V10)375层4D NAND闪存晶圆及产品。
据SK海力士介绍，与上一代相比，该产品的性能功耗比提升了2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI数据中心环境。公司计划于2027年初启动基于该NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘(eSSD)量产。
从HBF标准的发布到下一代NAND技术的亮相，SK海力士正在构建从存储介质到新型存储层级的完整AI存储解决方案矩阵。
AI存储赛道的“规则制定者”
对于投资者而言，HBF标准的发布具有多重深远意义。
首先，SK海力士正在从“HBM领导者”向“AI存储架构定义者”进化。在HBM市场已占据主导地位的基础上，HBF的推出进一步扩展了其在AI存储领域的技术版图。
其次，开放标准的策略有助于加速市场渗透。通过OCP发布开放标准、吸引谷歌等生态伙伴加入，SK海力士正在推动HBF成为AI推理场景下的主流存储方案。
第三，这一布局有望开辟新的增量市场。随着AI从训练走向推理，对兼顾带宽与容量的存储方案需求将呈指数级增长。HBF所瞄准的正是这一新兴市场。
SK海力士执行副总裁金千成表示：“随着AI应用的快速普及，我们正处在必须重新设计整体数据处理架构的节点。通过HBF技术，SK海力士将拓展内存与存储的边界，为构建提升系统整体效率的新架构作出贡献。”
本文源自：智通财经网
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