集成电路布图设计保护条例25年来首次大修引入惩罚性赔偿；台积电3nm提前达标2nm冲刺月产10万片；DDR4均价24美元创历史新高 | 新闻速递

每日头条芯闻

1. 国务院公布修订后《集成电路布图设计保护条例》，25年来首次大修引入惩罚性赔偿，10月15日施行

2. 台积电3nm月产18万片目标提前至四季度初达成、2nm年底冲刺10万片，1.4nm新厂有望2028年中量产

3. 存储芯片7月均价再刷历史新高：DDR4 8Gb合约价升至24美元，128Gb MLC NAND首破30美元

4. TrendForce：全球九大CSP资本支出突破8867亿美元同比增90%，AI服务器出货年增幅上调至近31%

5. 中微公司上半年归母净利润预增282%-311%，五年内高端设备覆盖率目标60%、产能规模突破700亿元

6. 联发科确认导入英特尔EMIB-T先进封装，第二款AI ASIC有望2028年量产，董事会批准50亿美元资金

7. 蔡司启动总部扩建与新建厂同步ASML扩产，伴随15年技术路线图延伸至2040年Hyper NA

8. 英特尔Starfire太空芯片获Linux 7.3内核首批支持，基于18A制程AI算力最高75TOPS，已进入送样阶段

9. 视觉芯片龙头富瀚微AI-ISP芯片放量，H1净利润同比预增1073%-1420%，8月3日20CM一字封涨停

10. 日本熊本7.1级地震后半导体厂陆续复产：索尼8月4日起分阶段恢复、东京电子8月3日起全面恢复

11. 英特尔ECTC公布超大尺寸封装研究：EMIB-T面向240mm×240mm，需施加超4500牛顿下压力抑制翘曲

12. 大族激光上半年营收134亿元同比+76%，半导体及泛半导体设备营收同比增约40%，半年度新签订单160亿元

13. 华为Mate 80系列累计销量突破809万台，第30周以20.7%份额稳居国内手机市场第一

14. 华为Mate 90系列屏幕曝光：6.9英寸1.5K LTPO直屏+双层OLED，新麒麟芯片预计9月下旬发布

15. 闪迪/西部数据本周将发布财报，铠侠股价逆势飙涨超7%，存储巨头营收与价格指引受关注

16. 存储涨价冲击消费电子面板业：深天马A半年报预亏7.2-7.5亿元，柔性AMOLED需求滑坡、竞争加剧

8月3日，新华社受权发布，国务院总理李强日前签署第842号国务院令，公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》（以下简称《条例》），自2026年10月15日起施行。现行条例于2001年公布施行，至今已25年，此次为首次全面修订。《条例》共6章54条，8月4日全文刊载于《人民日报》头版。

修订主要涵盖四大方面。一是明确总体要求，规定集成电路布图设计保护工作应当贯彻党和国家知识产权战略部署，扩展保护范围，强调诚实信用。二是完善申请、审查程序，规制虚假申请，细化材料要求，增加独创性声明制度——申请人须提交独创性声明并指明具有独创性的设计区域、设计要点及相应功能，完善驳回与撤销程序，新增权利恢复程序。三是加强专有权保护，明确权利范围界定标准，加大侵权赔偿力度：侵权赔偿额按照权利人实际损失或侵权人获利确定，难以确定的参照许可使用费倍数合理确定，情节严重的适用惩罚性赔偿，可在上述方法确定数额的1倍以上5倍以下确定赔偿数额。四是促进布图设计运用，加强公共服务，明确奖酬措施，完善转让、许可、出质要求，规范共有人权利行使。

同日，国家知识产权局同步发布《集成电路布图设计保护条例实施细则修改草案（征求意见稿）》及《集成电路布图设计审查与执法指南修改草案（征求意见稿）》，向社会公开征求意见，截止日期为2026年9月3日。实施细则征求意见稿涵盖登记申请流程优化、复审撤销制度完善、专有权保护加强三大板块，审查与执法指南则对登记审查标准、复审撤销程序等作出系统细化。司法部、国家知识产权局负责人在答记者问中表示，此次修订聚焦当前突出问题，将实践中行之有效的做法上升为行政法规，并与有关法律法规、国际条约做好衔接。值得注意的是，《条例》第五十三条增设对等反制条款：任何国家或地区在集成电路布图设计保护方面对中华人民共和国采取歧视性措施的，中方可采取相应措施。

2 【台积电3nm月产18万片目标提前至四季度初达成、2nm年底冲刺10万片，1.4nm新厂有望2028年中量产】

8月3日，据中国台湾《经济日报》及TrendForce报道，在英伟达、AMD、博通等大客户持续追单推动下，台积电3nm制程原定于2026年底实现的月投片量18万片目标，有望提前至第四季度初达成，较原计划提前两至三个月。消息人士称，3nm制程在2026年上半年月投片量已接近15万片，客户需求远超预期。为满足产能缺口，台积电已宣布新增三座3nm晶圆厂，分别位于中国台湾、美国亚利桑那州和日本，同时在中国台湾将部分5nm设备转换至3nm以支援产能建设。

2nm制程同样加速冲刺。供应链透露，台积电2nm上半年月投片量已达5万至6万片，预计Q4初将超过8万片，年底有望逼近10万片。台积电资深副总经理侯永清在北美技术论坛上表示，2026年将有五座2nm厂同时放量，包括新竹两座、高雄三座。2nm第一年晶圆产出较2023年3nm第一年增加45%，2026年至2028年2nm产能年复合增长率将达70%。综合计算，Q4初台积电2nm和3nm月投片量合计将超过26万片，成为今年营收持续冲高的核心引擎。

更值得关注的是下一代1.4nm制程的进度。TrendForce援引《工商时报》报道，台积电位于中科二期园区的1.4nm新厂建设进度超前，第一座厂房预计2027年4月前完工。该厂区规划建设四座厂房，前两座已完成发包，已进入钢构施工阶段。供应链评估，若建厂进度持续，最快2027年第三季初可进入试产，2028年中正式量产。1.4nm制程代号A14，采用第二代GAA纳米片晶体管，晶体管密度比2nm提高20%至23%，在相同功耗下性能提升10%至15%，在相同性能下功耗降低25%至30%。

3 【存储芯片7月均价再刷历史新高：DDR4 8Gb合约价升至24美元，128Gb MLC NAND首破30美元】

8月3日，据韩联社援引TrendForce旗下DRAMeXchange最新数据，PC用基准DDR4 8Gb DRAM 7月平均固定合约价升至24美元，环比上涨14.3%，创2016年6月有统计以来历史新高，对比监测初期2.9美元，累计涨幅超过8倍。与此同时，128Gb MLC NAND闪存7月平均合约价升至30.05美元，环比上涨4.3%，首次突破30美元大关，实现连续19个月涨价。部分库存偏低的SLC NAND产品7月均价环比暴涨35%至51%，供需最为紧张。

从累计涨幅来看，2026年1至7月通用型DRAM合约价累计涨幅超340%，NAND Flash合约价累计涨幅超320%。AI服务器及HBM需求持续挤占传统存储产能是涨价的核心原因。集邦咨询数据显示，三大存储巨头将八成以上先进制程新增产能转向HBM和服务器DRAM，消费级DRAM产能持续收缩。集邦咨询预测，Q3 DRAM合约价将环比上涨13%至18%，NAND涨幅约10%至15%，涨幅因消费电子客户对价格承受力已达极限而收敛。但DRAM供应紧张预计至少持续至2027年，而NAND随着新增产能投放，2027下半年供应有望逐步改善。

需求端方面，AI数据中心对高容量企业级SSD的需求呈爆炸性增长，数据中心应用预估将占全球NAND消耗量的60%至70%。Meta、微软、Google等超大规模云端业者已通过长约与预付款方式提前锁定2026年绝大部分可用产能，部分合约甚至延伸至2029年。供给端需求年增率达20%至22%，产能扩张却仅有15%至17%，新产能大规模释出普遍要延后至2027至2028年之后。铠侠已公开表示2026全年产能已基本售罄。与此同时，消费电子承受力正逼近极限：OPPO、vivo在Q3已拒绝三星的涨价报价，IDC数据显示Q2中国智能手机出货量同比下滑4.3%，Counterpoint Research更将2026年全球出货量预期下调至约10.8亿部，同比降幅扩大至13.9%，创2013年以来新低。

4 【TrendForce：全球九大CSP资本支出突破8867亿美元同比增90%，AI服务器出货年增幅上调至近31%】

8月3日，集邦咨询（TrendForce）发布最新AI服务器产业研究报告，全面上修2026年全球云服务商AI基础设施投资预测。研究显示，2026年全球九大云端服务供应商（Google、Amazon、Meta、Microsoft、Oracle，以及字节跳动、腾讯、阿里巴巴、百度）总资本支出预估将突破8867亿美元，约合5.99万亿元人民币，同比增长约90%。其中北美五大业者合计占比近90%，各家资本支出多实现翻倍提升。

TrendForce同步将2026年全球AI服务器出货量年增幅从原先的28%上调至近31%，主要驱动因素包括：超大型CSP对英伟达GB/VR等整柜式AI服务器方案的采购意愿明显提高；Google与AWS新一代ASIC平台于2026年下半年陆续放量；中系业者扩大采用本土AI方案以满足云端大语言模型需求。展望2027年，TrendForce预计九大CSP总资本支出将在2026年高基数基础上进一步增长49%，规模达1.32万亿美元，约合8.92万亿元人民币，增速收敛主要受高基数因素影响，并非AI投资趋缓。

在美系业者芯片布局方面，TrendForce预估Google 2026至2027年将持续侧重自家TPU芯片发展，2027年出货量有望继续高速成长；AWS 2026年以英伟达GB300为主力GPU方案，自研ASIC稳定出货，至2027年产能再扩大；Meta主要采用英伟达GB/VR及AMD Helios方案，自研ASIC预计至2027年明显加速。中系CSP方面，字节跳动投入力度最大，主要用于大规模AI数据中心、自研ASIC和GPU集群建设。证券时报分析指出，当前AI算力投资已从"全面紧缺"转向"结构性紧缺"，投资方向从以GPU扩张为主，转为覆盖AI服务器、液冷散热、先进封装、高速互连、电源和存储器等领域的基础设施全面升级。

5 【中微公司上半年归母净利润预增282%-311%，五年内高端设备覆盖率目标60%、产能规模突破700亿元】

8月3日，中微公司（688012.SH）披露2026年半年度业绩预告，预计上半年归母净利润27亿至29亿元，同比增长282.48%至310.81%。业绩增长主要得益于当期营业收入同比增长约34.89%，以及对外股权投资产生公允价值变动收益和投资收益合计约19.82亿元。2026年上半年公司研发投入约20.42亿元，同比增长约36.89%，研发投入占营收比例达30.52%。

数据背后是国产半导体设备的加速突破。中微公司已开发出54种高端半导体设备，包括26种高能和低能等离子体刻蚀机设备，24种各类薄膜设备、化学机械抛光设备和量检测设备，刻蚀和薄膜设备的加工精度已达原子级水平。截至2026年6月底，公司累计已有超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。

董事长尹志尧对外披露更宏大的五年规划：公司布局五大研发生产基地，现有建筑面积60万平方米，预计未来五年扩至90万平方米，远期产能规模突破700亿元。公司目标五年内高端半导体设备覆盖率达到60%，力争2035年跻身全球半导体设备第一梯队。华虹宏力董事长白鹏现场表态，华虹将持续深化与中微上下游协同合作，推进联合研发，加快国产半导体设备产线验证与规模化落地。值得注意的是，中微公司股价当日随板块回调跌近10%，收报309.85元/股，但基本面持续向好的趋势未变。

6 【联发科确认导入英特尔EMIB-T先进封装，第二款AI ASIC有望2028年量产，董事会批准50亿美元资金】

8月3日，据IT之家、钛媒体报道，联发科在上月末的企业2026年Q2财报电话会议上释放多项关键信号。联发科首度明确表示，在AI ASIC专案中，除采用台积电CoWoS封装外，也同步导入英特尔EMIB-T先进封装技术，代表公司封装策略朝向多元化发展，以应对不同客户的大型AI芯片设计需求。联发科代表对分析师"EMIB正朝2028年量产的目标稳步推进"的看法表示了肯定。

ASIC产品线方面，联发科首款AI ASIC加速器预计2026年Q2进入量产阶段；第二款产品开发进展顺利，有望2028年启动初步生产并在同年内量产。联发科还提到其448G SerDes高速I/O IP开发顺利，继续在台积电COUPE平台上开发CPO光互联系统解决方案，亦提供端到端的3.5D立体堆叠高阶芯片平台。

为保障供应链容量并推动企业从AI ASIC芯片向全规模系统和平台的战略扩展，联发科董事会已批准50亿美元（现汇率约合337.99亿元人民币）的自由裁量资金，为业务开展提供额外灵活性。这一举措与当前全球AI ASIC市场爆发式增长吻合——Google TPU、AWS Trainium等自研芯片加速迭代，博通、Marvell等ASIC设计服务商的AI相关收入持续攀升，联发科正加速切入这一利润丰厚的蓝海赛道。