北京
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国家知识产权局信息显示，马鞍山杰生半导体有限公司申请一项名为“一种深紫外发光二极管芯片及其制备方法和封装结构”的专利，公开号CN122497170A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种深紫外发光二极管芯片及其制备方法和封装结构，针对现有深紫外芯片在负离子环境下易引发芯片击穿问题，在传统芯片结构的基础上引入多层钝化叠层结构，多层钝化叠层中设置绝缘层和金属屏蔽层，进而将金属屏蔽层自多层钝化叠层内部引出，构成独立的电学连接并电连接金属泄放电极。同时本发明提供一种深紫外发光二极管封装结构，用于适配所述芯片结构。透过于封装结构中设置泄放引脚与芯片泄放电极电学连接，从而可以将负离子工作时聚集于芯片周围及表面的负电荷通过泄放电极泄放至外部接地端，从结构上避免深紫外LED芯片被击穿。本发明结构简单、工艺兼容，显著提升深紫外LED芯片在负离子共存环境下的工作可靠性与使用寿命。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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