北京
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国家知识产权局信息显示，浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“一种具有高蚀刻因子的精细线路铜蚀刻液及其制备与应用”的专利，公开号CN122484763A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及一种具有高蚀刻因子的精细线路铜蚀刻液及其制备与应用，其中具有高蚀刻因子的精细线路铜蚀刻液，按照重量份计算包括如下组分：氧化剂1‑5份；氯化铜10‑20份；无机酸50‑70份；表面活性剂0.1‑1份；添加剂0.5‑5份；超纯水60‑80份。本发明采用的添加剂立方烷羧酸衍生物可以优先并强力吸附在垂直侧壁暴露的晶面，而在底部水平晶面吸附弱或构象不利，羧基作为主吸附基团可与铜表面形成强配位键，将整个分子牢固地“锁”在铜原子上，尤其是铜晶格的特定活性位点或侧壁晶面上，在羧基吸附后，铜表面上方形成一个局部的疏水或空间阻挡层，能够在蚀刻过程中对侧壁保护，从而在实现精细线路的同时增大蚀刻因子。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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