北京
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国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种控制刻蚀副产物在石英盖上沉积厚度的清洁方法及设备”的专利，公开号CN122494533A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种控制刻蚀副产物在石英盖上沉积厚度的清洁方法及设备，石英盖为双层结构，两层石英盖之间设置有导电网格，所述导电网格更靠近工艺腔一侧，并与直流电源导通。在清洁模式下，通过直流电源设置偏压，能够活化等离子体吸引离子与副产物反应刻蚀，有效减小反应腔特别是石英盖上副产物的沉积厚度，避免副产物的堆积引起的工艺波动。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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