北京
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国家知识产权局信息显示，安晟光电（江苏）有限公司;安晟光电（湖州）有限公司申请一项名为“一种碳化硅单晶生长方法及掺杂原料组合物”的专利，公开号CN122484923A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长方法及掺杂原料组合物。该方法包括：提供基础碳化硅粉体及核壳结构铝掺杂碳化硅粉体，铝富集于外壳层，壳层厚度10～1000nm，整体铝含量0.1～5wt%；将二者混合后非均匀装填于石墨坩埚中，使坩埚下部及近内壁环状区域的铝掺杂粉体局部浓度高于上部及中心区域；经预烧结后，置于物理气相传输生长炉中，于2100～2300℃、1～50mbar条件下生长50～200小时。本发明通过核壳结构实现铝的缓释，结合非均匀装填利用温度梯度使铝在生长初期释放浓度较高，与氮杂质释放曲线动态匹配，以降低碳化硅晶体的光学吸收率并提高轴向均匀性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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