北京
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国家知识产权局信息显示，中科云越（北京）科技发展有限公司申请一项名为“一种低频光驱动太赫兹辐射源及产生波方法、制备方法”的专利，公开号CN122495129A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种低频光驱动太赫兹辐射源及产生波方法、制备方法，涉及太赫兹光电子器件领域，包括由上至下依次设置的拓扑绝缘体薄膜层、金属超构阵列层、衬底，三层逐层紧密贴合装配；金属超构阵列层整体轮廓与衬底外形一致；金属超构阵列层配置经微纳机械加工制成的金属开口谐振环阵列构件，依靠阵列几何腔体实现低频泵浦光入射光线聚拢形成高密度聚束光线；拓扑绝缘体薄膜层的整面完全覆盖在金属超构阵列层的上方，受高密度聚束光线作用沿薄膜表面法线正方向向外定向辐射太赫兹电磁波。本发明采用低频连续光或低能量脉冲光驱动，摆脱对高峰值功率飞秒激光系统的依赖；金属超构场增强与拓扑绝缘体强非线性、自旋极化电流共同作用，提升转换效率。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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