北京
国家知识产权局信息显示，杭州星原驰半导体有限公司申请一项名为“采用双刻蚀停止锗硅层的存储器件制备方法及存储器件”的专利，公开号CN122476611A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种采用双刻蚀停止锗硅层的存储器件制备方法及存储器件，属于半导体领域。该存储器件的制备方法包括提供一衬底，在衬底正面依次形成第一锗硅层、第一外延硅层、第二锗硅层和第二外延硅层；对所述第二外延硅层进行刻蚀，以形成隔离沟槽和垂直沟道柱，所述隔离沟槽位于相邻所述垂直沟道柱之间；去除所述衬底；去除所述第一锗硅层、第一外延硅层和第二锗硅层。本发明通过设置第一锗硅层和第二锗硅层，使得衬底去除时，能够使得暴露的垂直沟道柱均匀、整齐。垂直沟道晶体管均匀暴露，可使后续形成的位线与各垂直沟道晶体管底部接触均匀、电阻一致，提高存储单元电学性能均匀性，降低寄生参数，提升器件良率与可靠性。
天眼查资料显示，杭州星原驰半导体有限公司，成立于2021年，位于杭州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本343.8463万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州星原驰半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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