北京
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国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“堆叠FET中的选择性合并栅极”的专利，公开号CN122477777A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，一种半导体器件及其形成方法包括具有底部栅极的底部晶体管。顶部晶体管具有在底部栅极上方的顶部栅极并通过介电层与底部晶体管分离。导电通孔延伸穿过顶部栅极和介电层以接触底部晶体管。导电通孔和顶部栅极之间的介电衬层使顶部栅极与导电通孔电绝缘。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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