安徽钜芯半导体科技股份有限公司取得二极管相关专利，提升二极管可靠性、散热效率与生产效率

来源：新浪证券-红岸工作室

7月29日消息，国家知识产权局信息显示，安徽钜芯半导体科技股份有限公司申请一项名为“制备二极管的方法、装置和光伏模组”的专利，授权公告号CN117637502B，授权公告日为2026年7月28日。申请公布号为CN117637502A，申请号为CN202311622454.8，申请公布日期为2026年7月28日，申请日期为2023年11月27日，发明人曹孙根、冯亚宁、许波春，专利代理机构北京久诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师翟丽红，分类号H10W72/00、H10W72/50、H10W40/47、H10D8/00、H10F19/75。

专利摘要显示，本公开是关于一种制备二极管的方法、装置和光伏模组。该方法通过连接片连接二极管芯粒和阳极引脚，可以保证提高二极管的可靠性；并且，本实施例各步骤均可实现机械自动化，生产效率高，稳定性高；本实施例中通过液体进口管脚和液体出口管脚可以连通二极管芯粒中通道，从而形成供液体媒介循环的通道，通道内的液体媒介冷热不同可以循环流动，液体媒介在流动过程中可以带走二极管所产生的热量，从而降低二极管的温度，保证二极管可靠工作，有利于延长二极管的寿命。

天眼查数据显示，安徽钜芯半导体科技股份有限公司成立日期2015年6月16日，法定代表人曹孙根，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为中型，注册资本9000万人民币，实缴资本9000万人民币，注册地址为安徽省池州经济技术开发区双龙路99号。安徽钜芯半导体科技股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息63条，拥有行政许可12个。

安徽钜芯半导体科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1功率二极管模块（SJY-M07）外观专利授权CN202530549232.12025-09-15CN309867611S2026-03-24曹孙根2一种芯片封装的连续焊接装置发明专利实质审查的生效、公布CN202411979381.22024-12-31CN119634870A2025-03-18曹孙根、冯亚宁3一种半导体功率器件散热封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411979387.X2024-12-31CN119786467A2025-04-08曹孙根、林俊、陈松4光伏模组发明专利实质审查的生效、公布CN202411979380.82024-12-31CN119786466A2025-04-08曹孙根、许波春5二极管和光伏模块发明专利授权CN202411979389.92024-12-31CN119786468B2026-01-30曹孙根、丁忠军、石小飞6一种含折边成型稳定结构的光伏保护功率器件模块实用新型授权CN202421465666.X2024-06-25CN222720424U2025-04-04曹孙根、许波春7一种含卡口防失效结构的光伏保护功率器件模块实用新型授权CN202421465620.82024-06-25CN222720423U2025-04-04曹孙根、林俊8一种高散热率的光伏保护功率器件模块实用新型授权CN202421450668.12024-06-24CN222690665U2025-03-28曹孙根、许波春9一种光伏保护功率器件模块实用新型授权CN202421450671.32024-06-24CN222690666U2025-03-28曹孙根、丁忠军10功率二极管模块（SJY-M05）外观专利授权、公布CN202430357026.62024-06-12CN309020895S2024-12-20曹孙根11功率二极管模块（SJY-M04）外观专利授权、公布CN202430357025.12024-06-12CN309020894S2024-12-20曹孙根12功率二极管模块（SJY-M02）外观专利授权CN202430355102.X2024-06-11CN309085898S2025-01-24曹孙根13功率二极管模块（SJY-M03）外观专利授权CN202430355101.52024-06-11CN309135972S2025-02-25曹孙根14轴向二极管加工用良率提升工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202410007532.12024-01-03CN117690802A2024-03-12曹孙根、林俊、丁忠军15一种大功率光伏发电保护功率器件用快速散热装置发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311834597.52023-12-28CN117479512B2024-03-01曹孙根、许波春、丁忠军16一种功率器件表面印码加工装置及工艺发明专利授权CN202311770306.02023-12-21CN117734324B2025-12-16曹孙根、许波春17二极管和光伏模组发明专利实质审查的生效、公布CN202311622438.92023-11-27CN117637651A2024-03-01曹孙根、林俊、陈松18制备二极管的方法、装置和光伏模组发明专利授权CN202311622454.82023-11-27CN117637502B2026-07-28曹孙根、冯亚宁、许波春19光伏旁路储锡二极管模块（1）外观专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202330415037.02023-07-04CN308389211S2023-12-22曹孙根20光伏旁路储锡二极管模块（2）外观专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202330415042.12023-07-04CN308395828S2023-12-26曹孙根21一种光伏模块、二极管散热方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211511079.52022-11-29CN117253867B2024-05-31曹孙根、张曹朋、冯亚宁22一种功率器件的热沉导电片加工工艺发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202211292648.12022-10-20CN115635155B2023-05-05曹孙根、许波春、石小飞23一种高性能半导体整流芯片及其制备工艺发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202211289838.82022-10-20CN115547856B2023-05-16曹孙根、张曹朋、冯亚宁24一种提升光伏模块导热性能的封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202211108000.42022-09-09CN115642874A2023-01-24曹孙根、丁忠军、林俊25二极管抑制二次雪崩的缓冲区域结构和二极管发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211103003.92022-09-09CN116190414B2024-05-07曹孙根、冯亚宁、陈松、吴博26制备光伏模块二极管的方法和装置、光伏模块发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211103780.32022-09-09CN116190223B2024-05-24曹孙根、许波春、石小飞27提升光伏模块导热性能的封装结构发明专利著录事项变更、公布CN202411005774.32022-09-09CN118900092A2024-11-05曹孙根、丁忠军、林俊28一种减小光伏模块芯片焊接空洞率的生产系统及方法发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202210350760.X2022-04-02CN114758960B2022-11-18曹孙根、许波春、冯亚宁、吴博、张曹朋29一种光伏模块芯片的封装传动控制系统发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202210351536.22022-04-02CN114724985B2022-12-06曹孙根、许波春、冯亚宁、吴博、张曹朋、陈松30一种降低光伏模块正向压降的跳线实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202123306943.12021-12-27CN216671662U2022-06-03曹孙根、许波春、吴博、冯亚宁31一种优化光伏旁路模块内部结构实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202123307153.52021-12-27CN216871993U2022-07-01曹孙根、许波春、吴博、张曹朋32一种加强型光伏旁路二极管模块实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202123280832.82021-12-24CN216902964U2022-07-05曹孙根、许波春、冯亚宁、张曹朋、陈松33一种光伏模块结构及加工工艺发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202111597721.12021-12-24CN114300563B2023-01-31曹孙根、许波春、吴博、冯亚宁、陈松、张曹朋34一种高性能光伏模块芯片的加工工艺发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202111597718.X2021-12-24CN114300561B2023-05-02曹孙根、许波春、吴博、冯亚宁、陈松、张曹朋35一种半导体跳线发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202110147042.82021-02-03CN112838068A2021-05-25曹孙根、许波春、冯亚宁36半导体跳线外观专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202130077533.02021-02-03CN306810598S2021-09-07曹孙根37一种半导体跳线实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202120303966.82021-02-03CN214313192U2021-09-28曹孙根38一种光场可调的钙钛矿发光二极管发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、专利申请权、专利权的转移、授权、实质审查的生效、公布CN202011223232.52020-11-05CN112349868B2021-12-24任信钢、慈晴、黄志祥、牛凯坤、方明、程光尚、杨利霞、任昊、周旸39一种微型化封测方法发明专利发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布CN202010289514.92020-04-14CN111403299A2020-07-10曹孙根40一种窄腐蚀沟道芯片实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202020543399.92020-04-14CN211404509U2020-09-01曹孙根41一种贴片式二极管分立器件测试筛选装置实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN202020543719.02020-04-14CN212083595U2020-12-04曹孙根42一种新型4寸磷扩石英舟实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN201921030676.X2019-07-04CN210194037U2020-03-27曹孙根、张俊超、陈松43一种防污染的挂篮提手实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN201921030677.42019-07-04CN210187880U2020-03-27曹孙根、张俊超、陈松44一种雪崩整流二极管的制作工艺发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN201811066649.82018-09-13CN109285775A2019-01-29曹孙根、王志忠、张俊超、芮正果45一种去除芯片表面硼硅玻璃的方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN201811066692.42018-09-13CN109360784A2019-02-19曹孙根、王志忠、张俊超、芮正果46一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN201810734144.82018-07-06CN108807508A2018-11-13曹孙根、王志忠、张俊超、芮正果47一种抑制二次雪崩的二极管芯片结构实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN201821064515.82018-07-06CN208596678U2019-03-12曹孙根、 王志忠、 张俊超、 芮正果48一种半导体存储器的器件结构实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN201820781742.62018-05-24CN208240670U2018-12-14曹孙根49一种半导体封装结构实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、专利权质押合同登记的生效、变更及注销、专利权质押合同登记的生效、变更及注销、授权CN201820781741.12018-05-24CN208240655U2018-12-14曹孙根50一种半导体芯片运输装置实用新型专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权CN201820782955.02018-05-24CN208240642U2018-12-14曹孙根