上海新阳申请锗硅刻蚀液相关专利，该刻蚀液可选择性刻蚀硅锗并减速硅与氧化硅刻蚀

来源：新浪证券-红岸工作室

7月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海新阳半导体材料股份有限公司申请一项名为“一种锗硅刻蚀液”的专利。申请公布号为CN122465594A，申请号为CN202610511627.6，申请公布日期为2026年7月28日，申请日期为2026年4月17日，发明人王溯、孙红旗、臧焱、陈亮，专利代理机构上海弼兴律师事务所，专利代理师陈卓，分类号C09K13/08、C30B33/10、H10P50/64、C09K13/06。

专利摘要显示，本发明公开了一种锗硅刻蚀液。具体地，本发明提供了一种锗硅刻蚀液，其由如下原料各组分混合制得，所述原料包括如下质量分数的组分：0.1%‑5%的氟化物、5%‑70%的氧化剂、0.1%‑2%抑制剂、0.5%‑5%缓冲组分和溶剂；溶剂补足余量。所述的锗硅刻蚀液能够选择性减慢对GAA MOSFET结构中硅和氧化硅的刻蚀速率，选择性对硅‑锗合金进行刻蚀。

上海新阳是国内晶圆级湿电子化学品领域领先企业，主营集成电路关键工艺材料，具备全产业链配套服务优势，公司成立于2004年5月12日，2011年6月29日在深圳证券交易所挂牌上市，注册及办公地址均位于上海市。

公司主营业务分为两大板块，一是开展集成电路制造及先进封装用关键工艺材料及配套设备的研产销服，为客户提供整体化解决方案；二是从事环保型、功能性涂料的研产销及相关服务，提供专业整体涂装业务解决方案。公司所属申万行业为电子-电子化学品Ⅱ-电子化学品Ⅲ，同时覆盖集成电路、半导体设备、中芯国际概念等热门赛道。

2025年公司实现营业收入19.37亿元，在36家同行业可比公司中排名第14位，营收规模略高于19.33亿元的行业平均数，大幅高于15.26亿元的行业中位数，头部企业西陇科学、国瓷材料当期营收分别为73.31亿元、45.83亿元。从营收结构来看，集成电路材料业务贡献收入14.79亿元，占总营收比重76.35%；涂料品业务收入4.2亿元，占比21.68%；集成电路材料配套设备及配件业务收入3424.54万元，占比1.77%；其他业务收入400.22万元，占比0.21%。同期公司实现净利润3.01亿元，行业排名第9/总家数36，显著高于1.8亿元的行业平均数与1.25亿元的行业中位数，头部企业鼎龙股份、安集科技当期净利润分别为7.96亿元、7.84亿元。

指标类别 具体指标 数值情况 行业排位/对比 营收表现 2025年营业收入 19.37亿元 14/36，略超行业均值19.33亿元 盈利表现 2025年净利润 3.01亿元 9/36，远超行业均值1.8亿元 核心营收构成 集成电路材料收入占比 76.35% 核心支柱业务 核心营收构成 涂料品收入占比 21.68% 第二增长曲线

上海新阳半导体材料股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种锗硅刻蚀液的制备方法发明专利公布CN202610511622.32026-04-17CN122405275A2026-07-17王溯、蒋闯、田亚辉、冯强强2一种锗硅刻蚀液发明专利公布CN202610511627.62026-04-17CN122465594A2026-07-28王溯、孙红旗、臧焱、陈亮3一种锗硅刻蚀液的应用发明专利公布CN202610511631.22026-04-17CN122465595A2026-07-28王溯、马丽、邢诗惠、韩强4抗蚀剂下层膜、原料组合物、制备方法和图案形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610464093.62026-04-09CN122362741A2026-07-10王溯、徐森、孙友松、赵启新5一种锗硅刻蚀液发明专利公布CN202512015631.12025-12-30CN121759220A2026-03-31王溯、马丽、邢诗惠、翟俊杰6一种高选择比锗硅刻蚀液发明专利公布CN202512015622.22025-12-30CN121759218A2026-03-31王溯、邢诗惠、叶似剑、王婷婷7一种高选择比锗硅刻蚀液的制备发明专利公布CN202512015624.12025-12-30CN121759219A2026-03-31王溯、演嘉辉、田亚辉、李慧8一种锗硅刻蚀液的制备发明专利公布CN202512015627.52025-12-30CN121825552A2026-04-10王溯、邢诗惠、马伟、代旭9一种锗硅刻蚀液的应用发明专利公布CN202512015626.02025-12-30CN121825551A2026-04-10王溯、演嘉辉、和晓敏、张怡10一种高选择比锗硅刻蚀液的应用发明专利公布CN202512015620.32025-12-30CN121825550A2026-04-10王溯、邢诗惠、李志强、肖富蓉11一种硫代二乙酸的提纯方法发明专利公布CN202511026178.82025-07-24CN120887820A2025-11-04王溯、李志强、孙红旗、张怡12一种引线框架磁性吸盘实用新型授权CN202422539208.22024-10-21CN223339461U2025-09-16韩烨、朱登峰、李蒙、李祝青13盖板机构、晶圆清洗装置及晶圆封装设备发明专利公布CN202411138781.02024-08-19CN118768290A2024-10-15王振荣、刘红兵14晶圆清洗媒介的循环装置、循环方法及晶圆封装设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411138823.02024-08-19CN118800693A2024-10-18王振荣、刘红兵15晶圆清洗装置及晶圆封装设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411138804.82024-08-19CN118800692A2024-10-18王振荣、刘红兵16行车搬运装置及晶圆封装设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411138851.22024-08-19CN118824920A2024-10-22王振荣、刘红兵17温度控制装置及晶圆清洗设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411138758.12024-08-19CN118824903A2024-10-22王振荣、刘红兵18晶圆提篮及晶圆封装设备发明专利公布CN202411138723.82024-08-19CN118841352A2024-10-25王振荣、刘红兵19提篮分拣装置及晶圆封装设备发明专利公布CN202411138743.52024-08-19CN118841355A2024-10-25王振荣、刘红兵、张红林20晶圆清洗装置及晶圆封装设备发明专利公布CN202411138834.92024-08-19CN118919452A2024-11-08王振荣、孙红旗、张红林21晶圆清洗装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009501.82024-08-19CN223193764U2025-08-05王振荣、刘红兵22温度控制装置及晶圆清洗设备实用新型授权CN202422009428.42024-08-19CN223193763U2025-08-05王振荣、刘红兵23晶圆清洗装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009578.52024-08-19CN223193765U2025-08-05王振荣、孙红旗、张红林24盖板机构、晶圆清洗装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009477.82024-08-19CN223185076U2025-08-05王振荣、刘红兵25行车搬运装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009590.62024-08-19CN223347754U2025-09-16王振荣、刘红兵26晶圆清洗媒介的循环装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009553.52024-08-19CN223347737U2025-09-16王振荣、刘红兵27提篮分拣装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422016675.72024-08-19CN223347755U2025-09-16王振荣、刘红兵、张红林28晶圆提篮及晶圆封装设备实用新型授权CN202422016648.X2024-08-19CN223612386U2025-11-28王振荣、刘红兵29一种ArF光刻用底部抗反射涂层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410557299.42024-05-07CN120909068A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、薛新斌30一种形成光致抗蚀剂图案的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410557297.52024-05-07CN120909073A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、薛新斌31一种193nm光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557308.X2024-05-07CN120909071A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、吕亚娟32一种193nm光刻用底部抗反射涂层的组合物及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557307.52024-05-07CN120909070A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、吕亚娟33一种ArF光刻用三元聚物及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557306.02024-05-07CN120904387A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、吕亚娟34一种ArF浸没式光刻胶用聚丙烯酸酯聚合物、其制备方法及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557304.12024-05-07CN120904385A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、毛金丽35一种193nm光刻用顶层涂层膜、其制备方法及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557302.22024-05-07CN120909072A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、毛金丽36一种193nm光刻用底部抗反射组合物发明专利实质审查的生效、公布CN202410557300.32024-05-07CN120909069A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、薛新斌37一种ArF光刻用双层树脂膜、其制备方法及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557303.72024-05-07CN120928651A2025-11-11王溯、徐森、耿志月、毛金丽38一种锗硅刻蚀液的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311854475.22023-12-29CN120237002A2025-07-01王溯、马丽、邢诗惠、梁业成39一种锗硅刻蚀液的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311854466.32023-12-29CN120230557A2025-07-01王溯、马丽、邢诗惠、张磊磊、马伟40一种锗硅刻蚀液发明专利实质审查的生效、公布CN202311854481.82023-12-29CN120230558A2025-07-01王溯、马丽、邢诗惠、肖富蓉41锗硅刻蚀液的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311847688.22023-12-29CN120230555A2025-07-01王溯、孙红旗、马丽、翟俊杰42锗硅刻蚀液发明专利实质审查的生效、公布CN202311847687.82023-12-29CN120230554A2025-07-01王溯、孙红旗、马丽、刘金霞、张怡43锗硅刻蚀液的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311847692.92023-12-29CN120282467A2025-07-08王溯、孙红旗、马丽、于仙仙、王玮44一种氧化铈抛光液的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311831837.62023-12-28CN120230483A2025-07-01王溯、蒋闯、杨杰、沈学敏45一种氧化铈抛光液的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311831836.12023-12-28CN120230482A2025-07-01王溯、蒋闯、李泽宇46一种氧化铈抛光液发明专利实质审查的生效、公布CN202311831834.22023-12-28CN120230481A2025-07-01王溯、蒋闯、史筱超、秦长春47一种抛光液及其制备和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311831832.32023-12-28CN120230480A2025-07-01王溯、马丽、杨杰、沈学敏48一种改性的氧化铈的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311831831.92023-12-28CN120230513A2025-07-01王溯、马丽、史筱超、李泽宇49一种改性的氧化铈及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311831826.82023-12-28CN120229751A2025-07-01王溯、马丽、史筱超、秦长春50一种光刻胶顶涂层膜、其制备方法及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311839232.12023-12-28CN120230448A2025-07-01王溯、徐森、吕亚娟、邹琴峰