北京
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国家知识产权局信息显示，上海新阳半导体材料股份有限公司申请一项名为“一种锗硅刻蚀液”的专利，公开号CN122465594A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种锗硅刻蚀液。具体地，本发明提供了一种锗硅刻蚀液，其由如下原料各组分混合制得，所述原料包括如下质量分数的组分：0.1%‑5%的氟化物、5%‑70%的氧化剂、0.1%‑2%抑制剂、0.5%‑5%缓冲组分和溶剂；溶剂补足余量。所述的锗硅刻蚀液能够选择性减慢对GAA MOSFET结构中硅和氧化硅的刻蚀速率，选择性对硅-锗合金进行刻蚀。
天眼查资料显示，上海新阳半导体材料股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本31338.2153万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新阳半导体材料股份有限公司共对外投资了25家企业，参与招投标项目69次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息438条，此外企业还拥有行政许可115个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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