北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于光刻应用的光刻胶层上碳的选择性沉积”的专利，公开号CN122476890A，申请日期为2021年3月。
专利摘要显示，一种蚀刻硬掩模层的方法，包括在包含含金属材料的硬掩模层上形成包含有机金属材料的光刻胶层，通过具有选定图案的掩模将光刻胶层暴露于紫外线辐射，去除光刻胶层的未照射区域以图案化光刻胶层，在经图案化的光刻胶层的顶表面上选择性地形成包含含碳材料的钝化层，及蚀刻由上面形成有钝化层的经图案化的光刻胶层暴露的硬掩模层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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