北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种红光发光二极管制备方法”的专利，公开号CN122476743A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明半导体光电器件制造领域，具体涉及一种红光发光二极管制备方法，采用AlN陶瓷衬底替代传统 GaAs衬底作为芯片支撑基板，AlN 热导率高达 170～230 W/(m・K)，可将有源区产生的热量高效传导至外部热沉，显著降低器件结温。同时，本发明将反射镜直接集成于芯片底部与键合层之间，即反射镜紧邻有源区（仅隔P型层和金属接触层），向下光子在被衬底吸收之前即被反射镜高效反射，光路极短，吸收损耗极小，芯片亮度显著提高，等电流下光输出功率大幅增加，或等亮度下可降低驱动电流，有效提升光电转换效率。另外，本发明采用P‑N电极同侧设计，可以通过精细的电极图形设计来优化电流在芯片有源区内的横向分布，减少局部电流拥挤，有利于均匀发光或均匀耗散功率。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息267条，此外企业还拥有行政许可44个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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