01产业链全景图
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02 【长鑫存储】产业链
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长鑫存储,国内DRAM头部,集研发、设计、制造于一体。成立于2016年,靠“跳代研发”快速追赶,别人爬楼梯,它直接坐电梯,工艺已到第四代,DDR5、LPDDR5X等主流规格全覆盖,技术水平国际一线。
产品DDR和LPDDR两大矩阵,从晶圆、芯片到模组一条龙。下游打通服务器、移动端、PC、智能汽车四大场景。凭借全链条核心技术与自主IP,客户几乎囊括国内科技圈半壁江山:阿里云、字节、腾讯、联想、小米、荣耀、OPPO、vivo等。
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长鑫存储专攻DRAM,从研发到销售全链条包圆。不一代代爬楼梯,直接跳代研发——跨过中间节点,从第一代冲至第四代量产,产品迭代到DDR5、LPDDR5X,国际一线水平。
生产上IDM模式,芯片设计和晶圆制造自己攥着,好比餐馆既掌勺又种菜,其余委外。
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上市首日,长鑫一局突破3万亿市值,成为新时代“股王”。而背后,受益的核心不少,其中核心三大赛道如下:
03 【半导体设备】产业链
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03-1、核心逻辑:
IDM 扩产的资本开支首先变成设备订单,兑现最早、弹性最大。长鑫科创板 IPO 拟募资 295 亿元,投向晶圆制造量产线技改(75 亿)、DRAM 技术升级(130 亿)、前瞻研发(90 亿),其中设备采购约 200 亿元,是资金最集中的去向。
叠加美日荷收紧先进制程设备出口、长鑫在无 EUV 条件下以 DUV+多重曝光实现 DDR5,反而更依赖国产与非美系设备导入,需求集中于刻蚀、薄膜沉积等环节。
03-2、关键数据:
中国大陆 2024 年半导体设备销售额约 495 亿美元、全球占比约 42%,连续四年为全球第一大设备市场;2025 年国产化率有望提升至 22%,其中刻蚀、清洗、CMP 已阶段性突破,光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影国产化率仍低于 25%。
长江存储与长鑫存储 2026 年合计新增 10–12 万片/月产能、投资总额 155–180 亿美元;2026–2027 年中国大陆晶圆厂设备销售额预计分别达 4414/4736 亿元,同比 +21%/+7% 。
2027 年中国大陆细分市场空间:薄膜沉积约 1089 亿元、干法刻蚀约 895 亿元、清洗约 243 亿元、热处理约 210 亿元 。
03-3、核心关联企业
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04 【半导体材料】产业链
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04-1、核心逻辑:
材料是耗材而非一次性投入,产能从约 30 万→45 万片/月爬坡时,投片量与产量释放直接转化为对硅片、光刻胶、电子特气、湿电子化学品、CMP 材料、靶材等的持续采购,受益比设备更平滑、更持久。
同时国产化率分层明显,高端品类替代空间最大,而存储大厂的稳定投片恰好为国产材料提供验证与放量场景 。
04-2、关键数据:
2025 年全球半导体材料市场销售额 732 亿美元(+6.8%),中国大陆以 156 亿美元居全球第二;硅片约占晶圆制造材料成本 35%。
2024 年国产化率呈分层:8 英寸硅片约 55%,而 12 英寸硅片约 10%、光刻胶约 10%、电子气体约 15%、湿电子化学品(G3 及以上)约 10%、溅射靶材约 30%、CMP 抛光液约 30%/抛光垫约 20%——高端品类(12 英寸硅片、ArF 光刻胶、高纯特气)是最主要的缺口。
日本企业占全球半导体材料约 52% 份额,19 种关键材料中 14 种市占率全球第一,凸显国产替代的紧迫性与空间。
04-3、核心关联企业
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05 【先进封装】产业链
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05-1、核心逻辑:
长鑫战略从 DDR4 转向 DDR5 与 HBM(HBM3 计划 2026 年量产),而 HBM 本质是 2.5D/3D 堆叠封装,核心增量工艺是 TSV 硅通孔与混合键合,把价值量从晶圆制造延伸至后道封装测试;
模组环节则把 DRAM 颗粒加工为内存条/嵌入式存储/CXL 模组,直接受益存储量价齐升与国产颗粒份额提升,国产存储 IDM 崛起同步带动后道封测本土化 。
05-2、关键数据:
全球先进封装市场预计由 2022 年 378 亿美元增至 2026 年 482 亿美元(CAGR 约 6.3%),其中 3D 堆叠 CAGR 高达约 18%;另一口径下 AI 驱动 2023–2028 年 CAGR 约 10.9% 。
先进封装 2024 年已占全球封装市场 47.2%,2025 年有望达 51% 反超传统封装;国内渗透率 2023 年约 39%、2025 年升至约 41% 。
HBM 与硅中介层封装市场 2021 年约 14 亿美元,预计 2027 年增至约 35 亿美元;全球 OSAT 行业 2025 年合计销售 3332 亿元、同比 +9.9%,其中存储 IDM 先进封装的增量主要来自 TSV 与键合工艺 。
05-3、核心关联公司
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