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观点网讯：7月27日，三星电子发布对半导体事业部技术开发室长具子铉的采访，确认下一代HBM5内存将采用2纳米GAA工艺，预计运行速度比HBM4E快50%以上。
具子铉表示，HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔。他称，三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作。
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