北京
国家知识产权局信息显示，星钥半导体（武汉）有限公司取得一项名为“半导体结构”的专利，授权公告号CN224538659U，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构，其包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、外延层、钝化层、导电层和电极层。外延层材料选用N型掺杂的氮化镓和P型掺杂的氮化镓中任意一者。钝化层上开设有外接沟槽，其外接沟槽暴露至少部分外延层。导电层位于钝化层上，且导电层至少部分位于外接沟槽内，与外延层接触。电极层通过导电层与外延层电性连接。本申请通过简化结构，即在发光器件尚未形成前，利用沟槽‑导电层‑电极层的简易回路快速完成欧姆接触测试。若发现接触不良，可立即调整导电材料配方，避免整批报废。能够显著压缩工艺周期，降低试错成本与可靠性风险。
天眼查资料显示，星钥半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3767.2324万人民币。通过天眼查大数据分析，星钥半导体（武汉）有限公司共对外投资了4家企业，财产线索方面有商标信息22条，专利信息140条，此外企业还拥有行政许可30个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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