北京
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国家知识产权局信息显示，胜高股份有限公司申请一项名为“单晶的制造方法”的专利，公开号CN122438986A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种能够抑制伴随单晶制造的进行而产生的晶体提拉速度控制性恶化的单晶的制造方法。在通过对在坩埚（12）内所容纳的原料熔融液（13）施加水平磁场的同时提拉单晶的切克劳斯基法，制造单晶的方法中，在包含原料熔融液（13）的表面的水平面内，将原点（C）处磁力线的与水平面平行的分量的方向设为x轴，将通过原点（C）且垂直于x轴的方向设为y轴，将y轴与坩埚（12）内壁面的交点（P）处的磁通密度（Bp）与原点（C）处的磁通密度（Bc）之比设为Bp/Bc，在单晶提拉中，使磁通密度（Bp）相对于磁通密度（Bc）的磁通密度比Bp/Bc降低。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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