台积电2nm、1.4nm好消息连天 却突遭噩耗！ASML EUV光刻机要大涨价

台积电接连交出漂亮财报：

第二季度营收1.27万亿元新台币（约合人民币2663亿元），环比增长12％，同比增长 36％，税后净利润7065.6亿元新台币（约合人民币1481亿元），环比增长23.4％，同比大涨77.4％，双双创下历史新高，带动每股税后收益27.25元新台币（约合人民币5.7元）。

预计第三季度营收446-458亿美元（约合人民币3030-3111亿元），取中位数计算环比增长约12%，同比增长约37％，毛利率65-67％，营业利润率56-58％，依然维持在历史高位。

同时，台积电宣布将在美国亚利桑那州新增1000亿美元（约合人民币6793亿元）投资，新建4座晶圆厂。

至此，台积电在美累计投资规模将达到2650亿美元（约合人民币1.8万亿元），未来将拥有多达12座晶圆厂，集齐完整的先进工艺、封装、研发能力。

在新工艺方面，台积电同样捷报频传。

台积电高级副总裁Kevin Zhang证实，台积电N2 2nm级工艺的流片客户数量是前代N3 3nm级的多达4倍，大量长期合作客户已经将研发资源倾斜到2nm。

2nm是台积电首个GAA全环绕＋纳米片晶体管的工艺节点，带来的提升是飞跃一般的：

晶体管密度提升约15％；同等功耗下，性能提升最多15％；同等频率下，功耗降低最多30％。

根据台积电公布的能效曲线，N2 2nm标准版对比N3E 3nm增强版，0.75V电压下性能可提升15％，功耗可降低25％，0.55V电压下性能可提升26％，功耗可降低24％。

台积电已于2025年第四季度启动2nm工艺的大规模量产，半年后已经贡献约3％的收入，未来将持续攀升。

与此同时，5nm家族工艺是绝对主力占到33％，3nm家族占比也已来到30％，另外7nm 11％、16/20nm 6％、40/45nm 6％、65nm 4％。

台积电2nm的核心客户和产品包括：AMD Zen6架构的EPYC、苹果iPhone 18 Pro系列的A20 Pro、高通的天玑9600系列、高通的第六代骁龙8至尊版Pro、谷歌Pixel 11系列的Tensor G6。

它们都将在今年晚些时候陆续发布。

台积电计划打造长生命周期的2nm工艺家族，下半年推出高性能版N2P，继续优化性能和功耗，2027年再推出N2X，2028年继续增加N2U，具体情况将陆续公开。

继续向前，台积电还披露，A14 1.4nm级工艺研发进展极为迅速，同期进度远超N2 2nm，HPC、AI、智能手机客户都表达了强烈的合作意愿。

台积电CEO魏哲家亲口证实，A14工艺研发稳步推进，内部测试样片已经实现接近90％的目标器件性能，256Mb SRAM的良率也接近90％。

今年4月，台积电曾披露A14艺的器件性能达标率超过85％，256Mb SRAM良率超过80％，而在仅仅三个月后，两项指标分别提升了5个、10个百分点，都接近90％。

作为对比，台积电2nm 2023年4月的测试器件性能达标率只有80％出头，256Mb SRAM良率还不到50％，直到整整一年之后才分别超过90％、80％，后者依旧不够理想。

A14研发提速，很大程度上得益于台积电GAA纳米片晶体管的量产经验积累，A14上已经是第二代了，可以直接复用2nm研发、量产阶段积累的晶体管设计优化、工艺改良与生产制造经验。

A14预计2028年上半年量产。

台积电A14是全新升级的一代工艺节点，并非小幅升级的过渡型，无论命名、技术还是推出时间，都直接对标Intel 14A。

对比N2同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，逻辑晶体管密度提升最多约23％，芯片密度提升最多约20％。

除了升级第二代GAA全环绕纳米片晶体管，A14还加入了新的标准单元架构NanoFlex Pro，可以在设计芯片的时候，针对特定的应用或负载，精细调整晶体管配置，以达成更优的性能、功耗和面积(PPA)。

此外还有新的IP、优化、EDA设计软件，这些和N2P 2nm、A16 1.6nm是不兼容的。

遗憾的是，台积电A14首发的时候没有Super Power Rail(SPR)背部供电网络(BSPDN)，这一点和自家的A16、Intel 18A/14A截然不同，倒是和自己的N2、N2P一样。

不过，台积电承诺会在2029年推出A14工艺的升级版，加入背部供电，性能更好，但成本也会有所增加。

叠加如今疯狂的市场需求形势，涨价是不可避免的，但不止是台积电要涨价，ASML也要涨价！

台积电在6月份已通知各家客户，先进代工工艺将会全面上调价格，注意是全线，从成熟的7nm到刚量产的2nm，无一例外。

7nm虽然已经相对“落后”，但依然有大量的处理器、加速器、网络芯片和其他高性能芯片在使用，其成本、良率等都非常成熟，涨价后利润空间自然更丰厚。

台积电涨价的幅度目前暂不清楚，据说会根据不同客户、不同工艺节点、不同产品类别而异，幅度一般在5-10％。

目前，台积电等效300mm晶圆每片的收入据说已经接近6万元。

只是，台积电也没有绝对的话语权，因为光刻机都要看ASML的脸色。

据悉，ASML正在考虑上调EUV光刻机的价格，理由是新一代设备产能更高，能为客户创造更大价值。

阿斯麦长期推行所谓的“价值定价策略”（value-based pricing），也就是根据新设备的晶圆产出效率、光刻工艺成本、功耗优化等给客户带来的收益，逐步上调报价。

ASML早期双扫描台的NXE系列低NA EUV光刻机单价约1-1.2亿欧元，工艺更先进的新款则是1.7亿欧元起，而最新的高NA EUV光刻机更是据说超过了3.5亿欧元。

与此同时，低NA EUV光刻机的产能正在大幅提升：初代机型每小时晶圆产出160–170片，套刻精度≤1.1nm，而新的NXE:3800E、NXE:3800F机型产能提升至220、260片/小时，套刻精度优化至0.9nm。

未来，NXE:4200G、NXE:4200H机型的产能预计可突破300片/小时，套刻精度进一步优化至0.8–0.7nm以内。

ASML声称：“当下行业环境中，我们的产品为客户创造的价值十分可观，这让我们在定价上拥有比以往更大的灵活空间。我们确实会落地调价动作。”

不过，未来两三年内，ASML都不可能对存量的低NA EUV光刻机涨价，因为2027年的产能已基本售罄，2028年的订单也已大量锁定，所以这次涨价影响的交付设备，大概率集中在 2028年下半年及之后，比如预计2029年投产的NXE:4200G。

ASML的这一涨价计划，已经惹怒了头号客户台积电。

要知道，台积电目前拥有全球规模最大的低NA EUV光刻机设备集群，而且正在中国台湾、美国、日本同步扩建晶圆厂，还需要继续采购大量的光刻机支撑全球扩张。

哪怕小幅涨价，都会让台积电的资本开支增加数十亿美元，并严重削弱暂缓导入高NA EUV光刻机的成本优势，最终抬升芯片制造成本。

更关键的是，一旦接受本次涨价，未来继续采购就必须沿用新的价格基准，利润大量流向ASML。

台积电在2030年之前的先进工艺路线，核心思路就是持续迭代低NA EUV光刻机，搭配新型光罩、计算光刻、多重图形工艺，推进技术迭代。

台积电规划至少要到10A 1nm级工艺才会引入高NA EUV光刻机，如果ASML坚持对低NA EUV光刻机涨价，必将严重冲击台积电未来数年的技术规划和进步。

台积电之所以迟迟不愿意大规模导入高NA EUV光刻机，根本原因就是钱，因为单台设备成本超过3.5亿欧元，还需要配套全新光刻胶、光罩、保护膜、量测设备、芯片设计规则与计算光刻流程，台积电还没有完成成熟的全套方案。