前沿导读
美国科技学家、《连线》杂志创始主编凯文·凯利在接受央视《高端访谈》专访时指出,依据接触到的中国工程师们所展现出的能力和目标,未来5年中国或许能够制造出全球先进的人工智能芯片。
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很多人认为中国没有制造4nm芯片所需的设备,但中国可以进行自主研发,这本质上属于工程领域的问题,而中国在工程领域极为出色。
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工程问题
半导体制造涉及到大量基础科学问题,但是将技术原理到商业量产之间还存在隔阂,这就衍生出了工程问题——在可控成本、可接受良率、可规模化复制的条件下,将已知的科学原理转化为工业生产能力。
以EUV光刻机举例,将锡滴加热至22万摄氏度以上,高功率激光器对其轰击产生13.5nm波长的极紫外光,然后将极紫外光引导至曝光系统后进行芯片制造。EUV的技术理念在物理学上早已清晰,但是目前只有ASML拥有制造商业级别EUV光刻机的能力。
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ASML真正的技术护城河并不在于“知道怎么做”,而在于“能稳定、大规模、经济性的做出来”,这就是一种在工程领域的成功。
尼康此前也投入千亿日元研发EUV设备,但是由于其没有制造出可靠的原型机,没办法推进到下一步的技术优化阶段,最终宣告项目失败。
目前尼康最先进的产品就是2023年发布的NSR-S625E,该设备采用了浸润式技术,但是其技术水平无法达到ASML的标准。
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无论是光刻机这种制造设备,还是芯片这种最后的成品,都需要在消费市场上获得客户认可才算成功。
从芯片规模来说,我国的芯片产能在2026年上半年表现优异,产量规模达到了2798亿块,平均每天生产超过15亿块集成电路芯片。这些芯片不但可以满足内需市场,而且还会随着我国工业和消费产品一起出海,抢占国外市场。
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这种大规模的工业生产体系,本身就是工程能力最直接的证明。一个能够每天稳定产出15亿颗芯片的产业体系,所积累的工艺控制、质量管理和大规模制造经验,是任何“纸上谈兵”的分析都无法否认的。
在制造产业链上,长年累月的发展已经让我们在成品芯片的制造上面走向成熟。而下一步要解决的问题,就是在设计软件、制造设备、制造材料等环节被“卡脖子”的困境,这是中国半导体产业此前较为薄弱的环节,也是无法回避的问题。
自主研发
中微半导体创始人尹志尧先生在接受央视《对话》节目专访时指出,尹先生在美国工作20余年,做出了11种成功的设备,包括了刻蚀、薄膜、检测等产品。几乎绝大部分的设备领军人物都是中国留学生,并不是美国人,也不是外国人。
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上世纪80年代有很多人去美国留学,这些人都喜欢数学、物理、化学、工程等学科,很多人也因此进入了半导体设备这个产业,做出了很大贡献。其中贡献较为突出的二三十人,现在都在国内工作。
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很多人对这个产业有些误解,认为美国政府限制美国设备不能给中国运,但是他不知道这些设备都是中国人做的。现在回国发展的人很多,尹总表示有充分的信心开发出更加先进的设备来提升中国芯片产业的竞争力。
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尹总所指出的情况,与凯文·凯利表达的观点存在相似性。
尹总对于国产芯片设备的信心,来源于国内良好的产业发展趋势以及许多从海外归来的科技工作者。而凯文·凯利则是认为以当前中国半导体产业的发展情况来看,未来5年中国芯片技术将会迎来更加明显的进步,甚至是开发出全球最先进的芯片产品。
尹总所领导的中微半导体,其核心技术设备是等离子刻蚀机。中微半导体自主研发的先进刻蚀机已支持5nm节点的芯片制造,并且该设备已经进入到台积电的供应链中,成为了中国半导体设备产业最早进入顶级晶圆厂的公司。
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中微半导体给其他国产设备企业开了一个好头,想要不被他人“卡脖子”,研发自主技术的制造设备是必须要完成的工作。“酒香不怕巷子深”,只要产品的技术水平足够出色,强如台积电这种全球晶圆代工的龙头企业,也会考虑采购中国本土企业自研的制造设备。
虽然我国企业在部分制造设备上处于领先水平,但绕不开的问题就是前端先进的光刻机设备。华为提出的韬定律以及逻辑折叠技术,所针对的场景就是在没有EUV设备的情况下,继续提升芯片的性能指标。
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该方案只能算是一种产业技术的补充,并不代表可以完全绕过EUV技术与国际顶尖产品竞争。
我们通过设计技术来提升芯片性能,竞争对手则通过先进设备来提升芯片性能,这一场持久的拉锯战。不过有一点可以肯定,国产光刻机的研发并没有停下脚步,中国半导体产业正在通过设计与设备两个层面提升竞争力。
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