康创股权基金解读｜十年破局国产DRAM垄断壁垒 长鑫存储正式开启A股超级IPO

【财经热点·康创股权基金2026年7月16日消息 深圳】今日，国内唯一实现DRAM内存芯片大规模量产的本土龙头企业——长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫存储”）正式开启科创板网上、网下申购，打响2026年A股最大规模IPO收官之战。作为打破三星、SK海力士、美光全球三巨头垄断格局的国产存储标杆，长鑫存储的上市不仅是企业十年深耕的里程碑，更是国内半导体存储赛道国产替代的标志性事件，备受一级市场投资机构与二级市场投资者高度关注。深圳市康创股权投资基金管理有限公司从创业历程、赛道价值、融资脉络、核心技术及二级市场表现多维视角，对本次IPO进行深度解读。

一、创业历程：十年深耕，逆势突围国产存储空白赛道

长鑫存储的诞生，精准锚定了中国半导体产业的核心短板。在长鑫成立之前，全球DRAM市场长期被海外三巨头垄断，三家企业合计占据全球90%以上市场份额，国内企业长期面临技术封锁、专利壁垒、产能空白的三重困境，消费电子、服务器、数据中心等核心领域的DRAM芯片完全依赖进口，产业安全存在明显短板。

2016年，半导体行业领军人物、兆易创新创始人朱一明携手合肥国资，启动代号“506工程”的DRAM专项攻坚项目，正式创立长鑫存储前身睿力集成电路，扎根合肥布局DRAM芯片研发与量产，开启了国产DRAM从零到一的突围之路。相较于成熟的NAND闪存赛道，DRAM工艺难度更高、资本投入更大、技术迭代更快，是半导体行业公认的“硬骨头”，创业初期的长鑫存储面临无成熟技术、无量产经验、无产业链配套的三重困境。

创业十年间，企业坚持长期主义研发，熬过连续多年亏损的攻坚期，累计多年投入巨额研发资金突破技术壁垒，最终实现从技术复刻、自主迭代到规模化量产的完整跨越。2023年6月，公司正式更名长鑫科技集团，确立以DRAM芯片为核心的主营业务体系，成为国内唯一具备DRAM大规模量产能力的本土企业，彻底填补了中国大陆高端通用存储芯片的产业空白。

二、赛道格局：高壁垒黄金赛道，国产替代空间广阔

长鑫存储所处的DRAM动态随机存取存储器赛道，是半导体产业的核心刚需赛道，属于算力产业的“基石元器件”，广泛应用于智能手机、PC终端、服务器、云计算、人工智能、工业控制等全领域，市场规模庞大且刚需属性极强。随着AI算力产业爆发、数字经济提速、数据中心规模化升级，全球DRAM市场持续保持稳定增长态势，行业景气度长期向上。

从行业格局来看，全球DRAM行业呈现高度寡头垄断格局，三星、SK海力士、美光长期把控技术、产能、专利话语权，行业准入门槛极高，新入局者极难突破壁垒。国内存储赛道中，长江存储深耕NAND闪存领域，而长鑫存储是国内唯一聚焦DRAM量产的头部企业，形成“一NOR、一NAND、一DRAM”的国产存储三足格局中关键的DRAM核心板块，赛道稀缺性、行业壁垒、国产替代确定性位居半导体赛道前列。

从产业政策与市场空间来看，国内半导体自主可控战略持续深化，下游终端品牌、服务器厂商国产化替代需求持续释放，叠加国内存储芯片产能自主化缺口巨大，长鑫存储所处赛道具备高壁垒、高刚需、高成长、强政策赋能四大核心特质，是一级市场股权投资长期看好的优质硬核科技赛道。

三、融资历程：国资加持、头部机构重仓，十年持续资本赋能

长鑫存储的成长之路，离不开资本市场的持续赋能，其融资历程呈现出“国资主导、产业资本加持、头部机构跟投”的特征，充分印证了行业及资本对国产DRAM赛道的高度认可。企业成立初期，合肥国资作为核心战略投资方，为项目落地、产线建设、研发投入提供了关键的资金与产业资源支撑，成为企业初创期突围的核心底气。

随着技术突破与产能落地，长鑫存储陆续完成多轮大额股权融资，引入大批头部产业资本与专业投资机构，融资规模持续攀升，资金主要用于晶圆产线建设、工艺迭代、技术研发及产能扩张。2025年7月，长鑫存储正式启动科创板IPO辅导，中金公司、中信建投担任联合保荐机构，初步规划募资295亿元，聚焦DRAM技术升级、前瞻研发与产能扩建。

2026年5月，公司更新IPO招股书，审核状态恢复为“已问询”，IPO进程全面提速。本次科创板IPO最终确定发行价8.66元/股，发行总数66.88亿股，超额配售选择权行使前募资总额约579.19亿元，全额行使超额配售选择权后募资可达666.07亿元，成为2026年A股规模最大的IPO项目。多年来的持续融资，助力长鑫存储完成从技术研发到规模化量产的跨越，也为其登陆资本市场、实现产业化规模化发展奠定了坚实基础。

四、核心技术优势：跳代研发突破垄断，构建自主技术壁垒

长鑫存储能够突破海外巨头垄断，核心源于其差异化的技术研发路线与自主可控的技术体系，也是其核心投资价值的核心支撑。相较于行业传统迭代模式，长鑫存储采用继承创新+跳代研发的差异化策略，大幅缩短技术追赶周期。

技术基底层面，公司依托德国奇梦达成熟的BWL（埋藏字线）核心技术体系，获得2.8TB完整技术文档作为研发基底，规避了基础专利壁垒，同时基于原始技术完成全方位自主迭代升级，打造出完全自主可控的DRAM技术架构，彻底摆脱对海外技术的依赖。工艺迭代层面，企业从46nm成熟工艺起步，快速完成技术迭代，顺利量产17nm（D1）先进工艺，目前14nm前瞻工艺已进入研发阶段，实现了从追赶、并跑向局部领跑的跨越，工艺水平已接轨国际主流梯队。

量产与性能层面，长鑫存储已建成合肥、北京三大12英寸DRAM晶圆厂，搭建起覆盖芯片设计、晶圆制造、测试封装、模组配套的完整产业链体系，实现规模化稳定量产，产品良率、稳定性、兼容性均达到行业主流水平，可全面适配消费电子、服务器、工控等多场景应用。

成本与本土化优势层面，依托本土化产线布局、自主可控技术体系及规模化产能优势，长鑫存储具备优于海外巨头的成本优势与快速服务能力，能够精准匹配国内下游客户的国产化替代需求，形成技术、产能、成本、渠道的多维核心壁垒。财务端，企业实现业绩强势反转，2025年扭亏为盈，2026年一季度业绩大幅爆发，单季利润实现数十倍增长，快速弥补前期研发亏损，盈利能力持续兑现。

五、二级市场表现：超级IPO引爆市场，资金关注度拉满

作为A股年内最大规模IPO、国产存储核心龙头，长鑫存储本次申购引发二级市场资金狂热追捧，市场热度稳居全市场首位。本次发行价8.66元/股，对应发行后总市值约5792亿元，远超前期3000亿元的预期估值，充分体现了资本市场对其赛道价值与成长空间的高度认可。

打新层面，长鑫存储凭借稀缺的国产DRAM龙头标的属性、超高行业壁垒、极致的国产替代逻辑，成为机构与散户重点布局的打新标的，市场申购热度空前。从市场预期来看，鉴于其独一无二的行业稀缺性、持续兑现的业绩爆发力以及AI算力、国产替代的双重政策与产业红利，二级市场普遍看好其上市后的估值修复与成长空间，多家机构预判其上市后有望跻身A股半导体市值第一梯队，成为科创板权重核心标的。

同时，长鑫存储的IPO行情也带动整个半导体存储板块联动走强，DRAM产业链上下游设备、材料、封装测试、模组企业同步获得资金青睐，板块估值持续修复，进一步激活了A股半导体硬核科技赛道的市场活力。不过市场也提示，需后续关注行业周期波动、产能扩张进度、技术迭代节奏等潜在风险。

六、机构观点

深圳市康创股权投资基金管理有限公司分析师表示，长鑫存储的成功IPO，是国内半导体硬核科技企业十年攻坚的缩影，标志着我国在高端通用存储芯片领域彻底打破海外寡头垄断，产业自主可控进程迎来关键突破。从股权投资视角来看，DRAM赛道刚需稳定、壁垒极高、国产替代空间广阔，长鑫存储作为唯一本土量产龙头，具备稀缺性、高壁垒、高成长、强确定性的核心投资逻辑。

短期来看，公司凭借超级IPO募资加持，产能扩张、技术迭代、产业链整合速度将全面提速，业绩增长确定性充足；中长期来看，依托AI算力产业红利与国产化替代浪潮，公司有望持续提升全球市场份额，向全球DRAM第一梯队冲刺。未来将持续跟踪公司技术研发进展、产能释放节奏与行业周期变化，持续看好国产核心半导体硬科技赛道的长期投资价值。