北京
国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体器件的欧姆接触结构及其制备方法”的专利，公开号CN122396024A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件的欧姆接触结构及其制备方法。制备方法包括：在SiC单晶衬底表面预设的欧姆接触区域，通过离子注入进行掺杂，离子注入所引入的掺杂浓度满足将预设欧姆接触区域的SiC晶格发生损伤并形成连续非晶层以作为非晶SiC区；进行高温激活退火，将重掺杂的非晶SiC区转变成重掺杂的多晶SiC区；多晶SiC区掺杂浓度满足多数载流子直接凭借量子力学的隧穿效应克服多晶SiC区的晶界势垒；直接在重掺杂的多晶SiC区之上形成金属结构。本申请解决了传统的半导体器件的欧姆接触结构的制备方法中消耗SiC、制作Silicide高温以及工艺步骤较多的技术问题。
天眼查资料显示，苏州龙驰半导体科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本19634.4449万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州龙驰半导体科技有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息24条，专利信息86条，此外企业还拥有行政许可33个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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