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国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有促进微裂纹检测的保护层的半导体器件”的专利，公开号CN122396280A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，一种半导体器件包括具有荧光指示剂的保护层，该荧光指示剂促进检测保护层中的微裂纹，并且潜在地检测半导体器件的其他部分。位于半导体器件的有源层(例如，该半导体器件的电路和电路上方的金属层)上方的保护层可以包括聚酰亚胺，其中荧光指示剂分散在整个聚酰亚胺中。荧光指示剂可以包括具有聚合物壳的微胶囊，当微胶囊位于微裂纹的路径中并与微裂纹相交时，该聚合物壳破裂。当聚合物壳破裂时，微胶囊的荧光核暴露出来并且可以流入微裂纹中。暴露的荧光核可以被适当波长或带宽的电磁辐射激发，因此保护层中或与保护层相邻的任何微裂纹可以通过射线照相成像来可视化。还公开了检查半导体器件的微裂纹的方法。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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