北京
来源：同壁财经
同壁财经讯，长鑫科技集团股份有限公司（证券简称：长鑫科技，证券代码：688825）于7月14日晚间披露首次公开发行股票并在科创板上市发行公告。公司本次发行价格定为8.66元/股，网上申购代码为787825，将于2026年7月16日（T日）进行网上和网下申购。按发行价格及发行后总股本计算，长鑫科技上市时市值约为5791.88亿元。
据同壁财经了解，长鑫科技成立于2016年，是我国规模领先、技术先进、布局完善的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业。公司采用IDM（垂直整合制造）业务模式，专注于DRAM芯片的设计、研发、生产和销售，现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化产品方案，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等领域。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。
行业地位方面，根据Omdia数据，按出货量、产能及销售额统计，长鑫科技已位居中国第一、全球第四。2025年第四季度，公司全球DRAM市场份额已增至7.67%。公司已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo等头部客户建立了深度合作。
经营业绩方面，2025年度长鑫科技实现营业收入617.99亿元，同比增长155.62%，归属于母公司股东的净利润18.75亿元，成功实现扭亏为盈。进入2026年，公司业绩呈现爆发式增长：一季度实现营业收入508亿元，同比增长719.13%，归母净利润247.62亿元。公司预计2026年上半年营业收入将达1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润500亿至570亿元。
本次发行价格8.66元/股对应的2025年扣非前后孰低摊薄后市盈率为308.92倍（超额配售选择权行使前）。公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39）”，行业最近一个月平均静态市盈率为76.32倍。从市净率来看，发行价格对应的摊薄后市净率为5.06倍（超额配售选择权行使前），低于同行业可比公司平均静态市净率9.30倍。
本次发行初始公开发行股票数量为66.88亿股，约占发行后总股本的10%，并授予联席保荐人中金公司不超过初始发行股份15%的超额配售选择权。按发行价计算，超额配售选择权行使前预计募集资金总额约579.19亿元，扣除发行费用后净额约576.38亿元；若超额配售选择权全额行使，预计募集资金总额约666.07亿元。本次募投项目预计使用募集资金295亿元，投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级以及前瞻技术研究与开发三大方向。
战略配售方面，最终获配的战略投资者阵容豪华，包括全国社保基金多个组合、基本养老保险基金多个组合、中国国有企业结构调整基金二期、中国人保财险、中国人寿、中邮人寿、泰康人寿等长期资金。此外，拓荆科技、安集科技、通富微电、沪硅产业、TCL科技、中兴通讯、蔚来动力等产业链上下游企业亦参与其中。联席保荐人相关子公司中金财富、中信建投投资参与跟投。
本次发行初步询价期间共收到333家网下投资者管理的11537个配售对象报价，报价区间为7.26元/股至65.19元/股。经剔除无效报价和最高报价后，有效报价投资者285家，有效拟申购数量合计123,822,210万股，约为战略配售回拨前网下初始发行规模的462.85倍。
作为科创板试点IPO预先审阅机制后的首单受理项目，长鑫科技从2025年12月30日获受理到2026年5月27日顺利过会，仅用时148天。此次IPO也是2026年以来A股最大IPO项目，为科创板历史上第二大IPO，仅次于中芯国际。长鑫科技的成功上市，标志着国产DRAM产业在资本市场迈出了关键一步，有望进一步加速我国存储芯片产业的自主可控进程。
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